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一种c轴取向生长的SnSb<sub>2</sub>Te<sub>4</sub>热电薄膜及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310163584.3
申请日：
2023-02-24
公开(公告)号：
CN116356271B
公开(公告)日：
2025-03-11
发明(设计)人：
陈明敬 王淑芳 钱鑫 陈旭阳 郭浩然 李志亮 方立德
申请人：
河北大学
申请人地址：
071002 河北省保定市五四东路180号
IPC主分类号：
C23C14/35
IPC分类号：
C23C14/06 C23C14/02
代理机构：
石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112
代理人：
胡素梅
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
河北省 石家庄市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-02 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):C23C 14/35登记生效日:20251114变更事项:专利权人变更前权利人:曹茜变更后权利人:香河汇文节能科技有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:065400 河北省廊坊市香河环保产业园区起步区景北路北侧B-08-01号变更后权利人:065400 河北省廊坊市香河环保产业园区起步区景北路北侧B-08-01号
2025-11-14 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):C23C 14/35登记生效日:20251028变更事项:专利权人变更前权利人:河北大学变更后权利人:曹茜变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:071002 河北省保定市五四东路180号变更后权利人:065400 河北省廊坊市香河环保产业园区起步区景北路北侧B-08-01号
2025-03-11 授权 授权
共 50 条
[1]
一种高取向Bi<sub>2</sub>SeO<sub>2</sub>热电材料的制备方法 [P]. 
李甫 ;
赵健 ;
陈瑞华 .
中国专利 :CN117651467A ,2024-03-05
[2]
一种制备P型CuGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>薄膜的方法 [P]. 
张立春 ;
孟宪令 ;
张登英 ;
梁豆豆 ;
赵风周 .
中国专利 :CN119287321A ,2025-01-10
[3]
一种Bi<sub>2</sub>GeTe<sub>4</sub>基热电材料的制备方法 [P]. 
刘伟迪 ;
史晓磊 ;
李毅仁 ;
刘宏强 ;
田京雷 ;
侯环宇 ;
郝良元 ;
陈志刚 .
中国专利 :CN117729828A ,2024-03-19
[4]
一种高性能Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>热电薄膜的制备方法 [P]. 
李志亮 ;
高志 ;
王淑芳 ;
侯帅航 ;
宁兴坤 .
中国专利 :CN120006215A ,2025-05-16
[5]
一种In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>高温热电材料的制备方法与应用 [P]. 
吴慧娟 ;
韩新巍 ;
赵亚楠 ;
吴昆鹏 ;
韩滨 ;
刘乐乐 ;
杨岚 ;
陈志权 .
中国专利 :CN119797416A ,2025-04-11
[6]
一种ZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>薄膜的制备方法 [P]. 
张立春 ;
曹宁 ;
赵风周 ;
卢太平 ;
张登英 .
中国专利 :CN117385325A ,2024-01-12
[7]
硒化制备SnSe/SnSe<sub>2</sub>复合热电薄膜的方法 [P]. 
薛宇利 ;
王淑芳 ;
李志亮 ;
王艾艾 ;
王景玄 ;
王江龙 .
中国专利 :CN113937210B ,2024-05-10
[8]
一种Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电合金及其制备方法 [P]. 
孙丛立 ;
燕璟楠 ;
请求不公布姓名 ;
何顶新 ;
袁元 ;
赵志明 ;
张启华 .
中国专利 :CN118516589A ,2024-08-20
[9]
一种Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>热电薄膜的制备方法 [P]. 
邹琪 ;
丁发柱 ;
古宏伟 ;
商红静 ;
黄大兴 ;
谢波玮 ;
张琳 ;
董浩 ;
王锴 .
中国专利 :CN116288202B ,2024-12-06
[10]
一种均匀单层MA<sub>2</sub>Z<sub>4</sub>薄膜的制备方法 [P]. 
任文才 ;
孙素 ;
徐川 ;
何承俭 ;
成会明 .
中国专利 :CN118166333A ,2024-06-11
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