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一种ZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>薄膜的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311267769.5
申请日：
2023-09-28
公开(公告)号：
CN117385325A
公开(公告)日：
2024-01-12
发明(设计)人：
张立春 曹宁 赵风周 卢太平 张登英
申请人：
鲁东大学
申请人地址：
264025 山东省烟台市芝罘区红旗中路186号
IPC主分类号：
C23C14/28
IPC分类号：
C23C14/08 C23C14/58
代理机构：
代理人：
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
山东省 烟台市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-01-30 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/28申请日:20230928
2024-01-12 公开 公开
共 50 条
[1]
一种制备P型CuGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>薄膜的方法 [P]. 
张立春 ;
孟宪令 ;
张登英 ;
梁豆豆 ;
赵风周 .
中国专利 :CN119287321A ,2025-01-10
[2]
一种PVD生长非掺杂ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P]. 
刘向力 ;
董骁恒 .
中国专利 :CN118668161A ,2024-09-20
[3]
一种制备Cs<sub>3</sub>Cu<sub>2</sub>I<sub>5</sub>/ZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>异质结自驱动紫外光电探测器的方法 [P]. 
张立春 ;
曹宁 ;
张登英 ;
赵风周 ;
程晓华 .
中国专利 :CN119208449A ,2024-12-27
[4]
一种Si：Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P]. 
陈旭 ;
孟冬冬 ;
葛坤鹏 ;
陈政委 .
中国专利 :CN117403207B ,2025-10-31
[5]
一种Si：Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P]. 
陈旭 ;
孟冬冬 ;
葛坤鹏 ;
陈政委 .
中国专利 :CN117403207A ,2024-01-16
[6]
(010)取向β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶薄膜的制备方法 [P]. 
武松浩 ;
张文瑞 ;
刘凯森 ;
叶继春 .
中国专利 :CN120967496A ,2025-11-18
[7]
一种基于共溅射Si掺杂的Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜制备方法 [P]. 
施政 ;
高翔 ;
高绪敏 ;
黄晓明 .
中国专利 :CN117535623A ,2024-02-09
[8]
一种合成PrBa<sub>0.5</sub>Sr<sub>0.5</sub>Co<sub>1.5</sub>Fe<sub>0.5</sub>O<sub>5+δ</sub>(100)薄膜的方法 [P]. 
吴小峰 ;
刘楠 ;
谢健波 ;
李姝婷 .
中国专利 :CN118256997A ,2024-06-28
[9]
一种单畴κ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>外延薄膜的制备方法 [P]. 
李阳 ;
展茜茜 .
中国专利 :CN121023639A ,2025-11-28
[10]
一种Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>T<sub>x</sub>@NiFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>及其自修复降噪防腐涂层的制备方法 [P]. 
王巍 ;
赵倩楠 ;
曹琳 .
中国专利 :CN119875490A ,2025-04-25
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