半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910169145.3

申请日：

2009-09-11

公开(公告)号：

CN101794711A

公开(公告)日：

2010-08-04

发明(设计)人：

林益安陈嘉仁陈建豪黄国泰陈薏新林志忠林毓超

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

姜燕;陈晨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006070169 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2009101691453 申请日:20090911
2012-03-21	授权	授权
2010-08-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件的制造方法 [P].

廖舜章 ;

钟昇镇 ;

郑光茗 ;

庄学理 .

中国专利 :CN101673676A ,2010-03-17

[2]

制造半导体元件的方法与半导体元件 [P].

益冈有里 ;

徐鹏富 ;

黄焕宗 ;

黄国泰 ;

卡罗斯H·迪雅兹 ;

侯永田 .

中国专利 :CN101661901A ,2010-03-03

[3]

制造半导体元件的方法与半导体元件 [P].

刘重希 ;

王湘仪 ;

林正堂 ;

余振华 .

中国专利 :CN101714522A ,2010-05-26

[4]

半导体元件的制造方法 [P].

钟昇镇 ;

郑光茗 ;

庄学理 .

中国专利 :CN101714526A ,2010-05-26

[5]

半导体元件的制造方法 [P].

陈建豪 ;

侯永田 ;

徐鹏富 ;

黄国泰 ;

赵元舜 ;

洪正隆 .

中国专利 :CN101661883B ,2010-03-03

[6]

半导体元件的制造方法 [P].

洪铭辉 ;

郭瑞年 ;

林延勳 ;

林耕雍 ;

杨博宇 ;

万献文 .

中国专利 :CN109860035A ,2019-06-07

[7]

半导体元件的制造方法 [P].

林重德 ;

山本和彦 .

中国专利 :CN100468638C ,2003-07-02

[8]

半导体元件及制造半导体元件的方法 [P].

金荣载 .

中国专利 :CN104465764A ,2015-03-25

[9]

半导体元件金属栅极堆叠的制造方法 [P].

张立伟 ;

庄学理 .

中国专利 :CN102148147A ,2011-08-10

[10]

半导体元件及其制造方法 [P].

章勋明 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN1661802A ,2005-08-31

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