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半导体元件的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811442129.2
申请日
:
2018-11-29
公开(公告)号
:
CN109860035A
公开(公告)日
:
2019-06-07
发明(设计)人
:
洪铭辉
郭瑞年
林延勳
林耕雍
杨博宇
万献文
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
IPC主分类号
:
H01L2128
IPC分类号
:
代理机构
:
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人
:
徐金国
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-06-07
公开
公开
2021-06-01
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20190607
共 50 条
[1]
制造半导体元件的方法与半导体元件
[P].
益冈有里
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益冈有里
;
徐鹏富
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徐鹏富
;
黄焕宗
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黄焕宗
;
黄国泰
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黄国泰
;
卡罗斯H·迪雅兹
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卡罗斯H·迪雅兹
;
侯永田
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侯永田
.
中国专利
:CN101661901A
,2010-03-03
[2]
制造半导体元件的方法与半导体元件
[P].
刘重希
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刘重希
;
王湘仪
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王湘仪
;
林正堂
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林正堂
;
余振华
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余振华
.
中国专利
:CN101714522A
,2010-05-26
[3]
半导体元件的制造方法
[P].
钟昇镇
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钟昇镇
;
郑光茗
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郑光茗
;
庄学理
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庄学理
.
中国专利
:CN101714526A
,2010-05-26
[4]
半导体元件的制造方法
[P].
廖舜章
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廖舜章
;
钟昇镇
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钟昇镇
;
郑光茗
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郑光茗
;
庄学理
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庄学理
.
中国专利
:CN101673676A
,2010-03-17
[5]
半导体元件的制造方法
[P].
陈建豪
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陈建豪
;
侯永田
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侯永田
;
徐鹏富
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徐鹏富
;
黄国泰
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黄国泰
;
赵元舜
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赵元舜
;
洪正隆
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洪正隆
.
中国专利
:CN101661883B
,2010-03-03
[6]
半导体元件的制造方法
[P].
林益安
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林益安
;
陈嘉仁
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陈嘉仁
;
陈建豪
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陈建豪
;
黄国泰
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黄国泰
;
陈薏新
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陈薏新
;
林志忠
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林志忠
;
林毓超
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林毓超
.
中国专利
:CN101794711A
,2010-08-04
[7]
半导体元件的制造方法
[P].
林重德
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林重德
;
山本和彦
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山本和彦
.
中国专利
:CN100468638C
,2003-07-02
[8]
半导体元件及半导体元件的制造方法
[P].
内原士
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内原士
.
中国专利
:CN102694025A
,2012-09-26
[9]
半导体元件及半导体元件的制造方法
[P].
百田圣自
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百田圣自
;
藤井岳志
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藤井岳志
;
上岛聪
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上岛聪
;
浅井诚
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浅井诚
.
中国专利
:CN102163623A
,2011-08-24
[10]
半导体元件、半导体元件的制造方法以及使用半导体元件的半导体装置
[P].
山崎舜平
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山崎舜平
;
本田达也
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本田达也
;
平石铃之介
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平石铃之介
;
金村大志
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金村大志
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太田将志
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太田将志
.
中国专利
:CN103123936A
,2013-05-29
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