半导体元件的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201811442129.2
申请日
2018-11-29
公开(公告)号
CN109860035A
公开(公告)日
2019-06-07
发明(设计)人
洪铭辉 郭瑞年 林延勳 林耕雍 杨博宇 万献文
申请人
申请人地址
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
代理机构
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人
徐金国
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
制造半导体元件的方法与半导体元件 [P]. 
益冈有里 ;
徐鹏富 ;
黄焕宗 ;
黄国泰 ;
卡罗斯H·迪雅兹 ;
侯永田 .
中国专利 :CN101661901A ,2010-03-03
[2]
制造半导体元件的方法与半导体元件 [P]. 
刘重希 ;
王湘仪 ;
林正堂 ;
余振华 .
中国专利 :CN101714522A ,2010-05-26
[3]
半导体元件的制造方法 [P]. 
钟昇镇 ;
郑光茗 ;
庄学理 .
中国专利 :CN101714526A ,2010-05-26
[4]
半导体元件的制造方法 [P]. 
廖舜章 ;
钟昇镇 ;
郑光茗 ;
庄学理 .
中国专利 :CN101673676A ,2010-03-17
[5]
半导体元件的制造方法 [P]. 
陈建豪 ;
侯永田 ;
徐鹏富 ;
黄国泰 ;
赵元舜 ;
洪正隆 .
中国专利 :CN101661883B ,2010-03-03
[6]
半导体元件的制造方法 [P]. 
林益安 ;
陈嘉仁 ;
陈建豪 ;
黄国泰 ;
陈薏新 ;
林志忠 ;
林毓超 .
中国专利 :CN101794711A ,2010-08-04
[7]
半导体元件的制造方法 [P]. 
林重德 ;
山本和彦 .
中国专利 :CN100468638C ,2003-07-02
[8]
半导体元件及半导体元件的制造方法 [P]. 
内原士 .
中国专利 :CN102694025A ,2012-09-26
[9]
半导体元件及半导体元件的制造方法 [P]. 
百田圣自 ;
藤井岳志 ;
上岛聪 ;
浅井诚 .
中国专利 :CN102163623A ,2011-08-24
[10]
半导体元件、半导体元件的制造方法以及使用半导体元件的半导体装置 [P]. 
山崎舜平 ;
本田达也 ;
平石铃之介 ;
金村大志 ;
太田将志 .
中国专利 :CN103123936A ,2013-05-29