一种W掺杂ZrO2薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911353361.3

申请日：

2019-12-25

公开(公告)号：

CN110983274A

公开(公告)日：

2020-04-10

发明(设计)人：

沈洪雪姚婷婷彭塞奥李刚

申请人：

申请人地址：

233010 安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1408

代理机构：

安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113

代理人：

陈俊

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-11	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C23C 14/35 申请公布日:20200410
2020-04-10	公开	公开
2020-05-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20191225

共 50 条

[1]

一种离子束辅助沉积工艺制备W掺杂ZrO2薄膜的方法 [P].

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

李刚 ;

彭塞奥 ;

杨扬 .

中国专利 :CN110983280A ,2020-04-10

[2]

一种自旋半导体ZrO2薄膜的制备方法 [P].

沈洪雪 ;

彭塞奥 ;

杨扬 ;

李刚 ;

陆勇 ;

时君 .

中国专利 :CN110894592A ,2020-03-20

[3]

一种新的ZrO2陶瓷靶材制备方法 [P].

黄大勇 ;

韩绍娟 ;

许壮志 ;

薛健 ;

张明 ;

王世林 .

中国专利 :CN102086122A ,2011-06-08

[4]

一种制备Cu掺杂稀磁半导体薄膜的方法 [P].

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108642462A ,2018-10-12

[5]

一种多层梯度透光掺杂AZO薄膜的制备方法 [P].

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108707866A ,2018-10-26

[6]

一种高透、高阻W掺杂CN薄膜的制备方法 [P].

沈洪雪 ;

金克武 ;

甘治平 ;

李刚 ;

姚婷婷 ;

杨勇 .

中国专利 :CN107502868A ,2017-12-22

[7]

一种单一四方晶相结构ZrO2的制备方法 [P].

赵永祥 ;

马宏勋 ;

高春光 ;

秦晓琴 ;

白利红 ;

贾志奇 ;

刘滇生 .

中国专利 :CN1792818A ,2006-06-28

[8]

一种稀磁半导体薄膜的制备方法 [P].

彭寿 ;

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108707864A ,2018-10-26

[9]

一种共掺杂DLC薄膜的制备方法 [P].

沈洪雪 ;

甘治平 ;

李刚 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

金克武 .

中国专利 :CN106756846A ,2017-05-31

[10]

一种碳自掺杂氮化碳光电薄膜的制备方法 [P].

沈洪雪 ;

李刚 ;

金克武 ;

王天齐 .

中国专利 :CN110983273A ,2020-04-10

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