晶体管的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510215854.6

申请日：

2015-04-29

公开(公告)号：

CN106206691A

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

李勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2966

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-26	授权	授权
2016-12-07	公开	公开
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695172393 IPC(主分类):H01L 29/66 专利申请号:2015102158546 申请日:20150429

共 50 条

[1]

晶体管的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106298528A ,2017-01-04

[2]

MOS晶体管的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106206301A ,2016-12-07

[3]

晶体管的形成方法 [P].

徐建华 .

中国专利 :CN105336589A ,2016-02-17

[4]

晶体管的形成方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105826261A ,2016-08-03

[5]

LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管 [P].

李勇 .

中国专利 :CN105826189A ,2016-08-03

[6]

LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管 [P].

李勇 ;

赵杰 .

中国专利 :CN105529264A ,2016-04-27

[7]

MOS晶体管的形成方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN106558499B ,2017-04-05

[8]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN104681490A ,2015-06-03

[9]

晶体管和晶体管的形成方法 [P].

赵猛 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN103545200B ,2014-01-29

[10]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

隋运奇 ;

刘格致 .

中国专利 :CN104425377A ,2015-03-18

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