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磷化硅晶体密管合成及其靶材生产的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111376207.5
申请日：
2021-11-19
公开(公告)号：
CN114031080A
公开(公告)日：
2022-02-11
发明(设计)人：
舒小敏 吴文斌
申请人：
申请人地址：
330800 江西省宜春市高安市工业园
IPC主分类号：
C01B3300
IPC分类号：
C01B2508 C04B35515 C04B35622 C04B35626 C04B35645
代理机构：
南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙) 36142
代理人：
陈龙
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-02-11 公开 公开
2022-03-01 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/00 申请日:20211119
共 50 条
[1]
磷化铌靶材的生产工艺 [P]. 
舒小敏 ;
吴文斌 .
中国专利 :CN113979749A ,2022-01-28
[2]
磷化锰靶材的生产工艺 [P]. 
吴文斌 ;
吴旋 .
中国专利 :CN114014655A ,2022-02-08
[3]
磷化钽靶材的生产工艺 [P]. 
吴文斌 ;
舒小敏 .
中国专利 :CN113754437A ,2021-12-07
[4]
生长单层磷化硅晶体的方法 [P]. 
邱海龙 ;
武羽 ;
胡章贵 .
中国专利 :CN111575787A ,2020-08-25
[5]
磷化镧粉体材料的双温区密管合成工艺 [P]. 
吴文斌 ;
吴旋 .
中国专利 :CN114014284A ,2022-02-08
[6]
铬靶材及其组合的制造方法 [P]. 
姚力军 ;
相原俊夫 ;
大岩一彦 ;
潘杰 ;
王学泽 ;
王钜宝 .
中国专利 :CN105441881A ,2016-03-30
[7]
一种磷化铟晶体合成的异形石英管 [P]. 
胡昌勇 ;
邵广育 ;
卜英瀚 .
中国专利 :CN222411994U ,2025-01-28
[8]
基于化学气相输运法制备针状磷化硅晶体的方法 [P]. 
胡章贵 ;
武羽 ;
邱海龙 ;
吴以成 .
中国专利 :CN114318520A ,2022-04-12
[9]
一种氮化硅靶材及其制备方法 [P]. 
姚力军 ;
王佳乾 ;
杨慧珍 ;
廖培君 .
中国专利 :CN119822850B ,2025-11-04
[10]
一种氮化硅靶材及其制备方法 [P]. 
姚力军 ;
王佳乾 ;
杨慧珍 ;
廖培君 .
中国专利 :CN119822850A ,2025-04-15
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