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磷化镧粉体材料的双温区密管合成工艺
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111502838.7
申请日
:
2021-12-10
公开(公告)号
:
CN114014284A
公开(公告)日
:
2022-02-08
发明(设计)人
:
吴文斌
吴旋
申请人
:
申请人地址
:
330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区火炬三路189号(2001室)
IPC主分类号
:
C01B2508
IPC分类号
:
代理机构
:
南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙) 36142
代理人
:
毛毛
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-02-25
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 25/08 申请日:20211210
2022-02-08
公开
公开
共 50 条
[1]
砷化硼粉体材料的双温区密管合成技术
[P].
舒小敏
论文数:
0
引用数:
0
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0
舒小敏
;
吴文斌
论文数:
0
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0
吴文斌
.
中国专利
:CN114105157A
,2022-03-01
[2]
三硒化二铟双温区真空密管液相合成工艺
[P].
舒小敏
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0
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0
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0
舒小敏
;
吴文斌
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0
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0
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0
吴文斌
.
中国专利
:CN102275880B
,2011-12-14
[3]
磷化硅晶体密管合成及其靶材生产的方法
[P].
舒小敏
论文数:
0
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0
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0
舒小敏
;
吴文斌
论文数:
0
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0
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0
吴文斌
.
中国专利
:CN114031080A
,2022-02-11
[4]
一种磷化铟半导体材料的合成工艺
[P].
卜俊鹏
论文数:
0
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0
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机构:
浙江康鹏半导体有限公司
浙江康鹏半导体有限公司
卜俊鹏
;
邵广育
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0
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机构:
浙江康鹏半导体有限公司
浙江康鹏半导体有限公司
邵广育
;
卜英瀚
论文数:
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机构:
浙江康鹏半导体有限公司
浙江康鹏半导体有限公司
卜英瀚
;
胡昌勇
论文数:
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0
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机构:
浙江康鹏半导体有限公司
浙江康鹏半导体有限公司
胡昌勇
.
中国专利
:CN118639309B
,2025-02-14
[5]
一种磷化铟半导体材料的合成工艺
[P].
卜俊鹏
论文数:
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机构:
浙江康鹏半导体有限公司
浙江康鹏半导体有限公司
卜俊鹏
;
邵广育
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机构:
浙江康鹏半导体有限公司
浙江康鹏半导体有限公司
邵广育
;
卜英瀚
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机构:
浙江康鹏半导体有限公司
浙江康鹏半导体有限公司
卜英瀚
;
胡昌勇
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机构:
浙江康鹏半导体有限公司
浙江康鹏半导体有限公司
胡昌勇
.
中国专利
:CN118639309A
,2024-09-13
[6]
一种二硫化硅的双温区气固合成工艺
[P].
吴文斌
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0
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吴文斌
;
舒小敏
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舒小敏
.
中国专利
:CN113461014B
,2021-10-01
[7]
棒状硼化锆粉体的合成工艺
[P].
周爱萍
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周爱萍
;
张艳平
论文数:
0
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张艳平
;
郑明文
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0
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0
郑明文
.
中国专利
:CN105197953A
,2015-12-30
[8]
双温区控制低温直接制备石墨烯的方法及双温区管式炉
[P].
杨诚
论文数:
0
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0
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杨诚
;
满宝元
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满宝元
;
张超
论文数:
0
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0
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张超
.
中国专利
:CN102849733A
,2013-01-02
[9]
磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置
[P].
陶绪堂
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陶绪堂
;
张国栋
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张国栋
;
王善朋
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王善朋
;
施琼
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施琼
;
阮华棚
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阮华棚
;
蒋民华
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0
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0
蒋民华
.
中国专利
:CN102191541A
,2011-09-21
[10]
锂镧锆氧石榴石粉体材料的火焰合成方法
[P].
靳星
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机构:
桐乡华创三同科技发展有限公司
桐乡华创三同科技发展有限公司
靳星
;
单国明
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机构:
桐乡华创三同科技发展有限公司
桐乡华创三同科技发展有限公司
单国明
;
张潇雅
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机构:
桐乡华创三同科技发展有限公司
桐乡华创三同科技发展有限公司
张潇雅
;
方筑
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机构:
桐乡华创三同科技发展有限公司
桐乡华创三同科技发展有限公司
方筑
.
中国专利
:CN120398111A
,2025-08-01
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