磷化镧粉体材料的双温区密管合成工艺

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111502838.7
申请日
2021-12-10
公开(公告)号
CN114014284A
公开(公告)日
2022-02-08
发明(设计)人
吴文斌 吴旋
申请人
申请人地址
330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区火炬三路189号(2001室)
IPC主分类号
C01B2508
IPC分类号
代理机构
南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙) 36142
代理人
毛毛
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
砷化硼粉体材料的双温区密管合成技术 [P]. 
舒小敏 ;
吴文斌 .
中国专利 :CN114105157A ,2022-03-01
[2]
三硒化二铟双温区真空密管液相合成工艺 [P]. 
舒小敏 ;
吴文斌 .
中国专利 :CN102275880B ,2011-12-14
[3]
磷化硅晶体密管合成及其靶材生产的方法 [P]. 
舒小敏 ;
吴文斌 .
中国专利 :CN114031080A ,2022-02-11
[4]
一种磷化铟半导体材料的合成工艺 [P]. 
卜俊鹏 ;
邵广育 ;
卜英瀚 ;
胡昌勇 .
中国专利 :CN118639309B ,2025-02-14
[5]
一种磷化铟半导体材料的合成工艺 [P]. 
卜俊鹏 ;
邵广育 ;
卜英瀚 ;
胡昌勇 .
中国专利 :CN118639309A ,2024-09-13
[6]
一种二硫化硅的双温区气固合成工艺 [P]. 
吴文斌 ;
舒小敏 .
中国专利 :CN113461014B ,2021-10-01
[7]
棒状硼化锆粉体的合成工艺 [P]. 
周爱萍 ;
张艳平 ;
郑明文 .
中国专利 :CN105197953A ,2015-12-30
[8]
双温区控制低温直接制备石墨烯的方法及双温区管式炉 [P]. 
杨诚 ;
满宝元 ;
张超 .
中国专利 :CN102849733A ,2013-01-02
[9]
磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置 [P]. 
陶绪堂 ;
张国栋 ;
王善朋 ;
施琼 ;
阮华棚 ;
蒋民华 .
中国专利 :CN102191541A ,2011-09-21
[10]
锂镧锆氧石榴石粉体材料的火焰合成方法 [P]. 
靳星 ;
单国明 ;
张潇雅 ;
方筑 .
中国专利 :CN120398111A ,2025-08-01