半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080045729.0

申请日：

2010-09-15

公开(公告)号：

CN102598278A

公开(公告)日：

2012-07-18

发明(设计)人：

山崎舜平小山润高桥正弘岸田英幸宫永昭治中村康男菅尾惇平鱼地秀贵

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

G02F11368 G09F930

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

柯广华;朱海煜

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-08	授权	授权
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101344417345 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2010800457290 申请日:20100915
2012-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

高桥正弘 ;

岸田英幸 ;

宫永昭治 ;

中村康男 ;

菅尾惇平 ;

鱼地秀贵 .

中国专利 :CN104733540B ,2015-06-24

[2]

半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

平石铃之介 ;

秋元健吾 ;

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN102598284A ,2012-07-18

[3]

半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

细羽幸 ;

野田耕生 ;

大原宏树 ;

佐佐木俊成 ;

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN104835850A ,2015-08-12

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101728434A ,2010-06-09

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN104078512A ,2014-10-01

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101740583B ,2010-06-16

[7]

用于制造半导体器件的方法及半导体器件 [P].

佐佐木俊成 ;

坂田淳一郎 ;

大原宏树 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN111081550A ,2020-04-28

[8]

薄膜半导体器件及使用薄膜半导体器件的显示器件 [P].

白神崇生 ;

小原有司 ;

加瀬正人 .

中国专利 :CN102800706A ,2012-11-28

[9]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102197490A ,2011-09-21

[10]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102386236A ,2012-03-21

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