半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510215816.0

申请日：

2010-06-22

公开(公告)号：

CN104835850A

公开(公告)日：

2015-08-12

发明(设计)人：

山崎舜平细羽幸野田耕生大原宏树佐佐木俊成坂田淳一郎

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2134

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

侯颖媖

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-26	授权	授权
2015-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101624662007 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2015102158160 申请日:20100622
2015-08-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

平石铃之介 ;

秋元健吾 ;

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN102598284A ,2012-07-18

[2]

半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

高桥正弘 ;

岸田英幸 ;

宫永昭治 ;

中村康男 ;

菅尾惇平 ;

鱼地秀贵 .

中国专利 :CN104733540B ,2015-06-24

[3]

半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

高桥正弘 ;

岸田英幸 ;

宫永昭治 ;

中村康男 ;

菅尾惇平 ;

鱼地秀贵 .

中国专利 :CN102598278A ,2012-07-18

[4]

制造半导体器件的方法 [P].

山崎舜平 ;

细羽幸 ;

野田耕生 ;

大原宏树 ;

佐佐木俊成 ;

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN102473731A ,2012-05-23

[5]

用于制造半导体器件的方法及半导体器件 [P].

佐佐木俊成 ;

坂田淳一郎 ;

大原宏树 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN111081550A ,2020-04-28

[6]

半导体器件 [P].

花田明纮 ;

海东拓生 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN114258595A ,2022-03-29

[7]

半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

小山润 .

中国专利 :CN113257838A ,2021-08-13

[8]

半导体器件 [P].

小山润 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102598269B ,2012-07-18

[9]

半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

小山润 .

中国专利 :CN103985765A ,2014-08-13

[10]

半导体器件 [P].

花田明纮 ;

海东拓生 ;

津吹将志 .

日本专利 :CN114258595B ,2025-04-22

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