半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210214114.7

申请日：

2012-06-26

公开(公告)号：

CN103515420B

公开(公告)日：

2014-01-15

发明(设计)人：

涂火金刘佳磊

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2978 H01L2128 H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101571924262 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2012102141147 申请日:20120626
2016-06-29	授权	授权
2014-01-15	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110021662B ,2019-07-16

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

邓浩 ;

陈志刚 ;

黄涛 .

中国专利 :CN106847913A ,2017-06-13

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109830438B ,2019-05-31

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109994547B ,2019-07-09

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103545179B ,2014-01-29

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

王盈斌 .

中国专利 :CN100539188C ,2008-03-12

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110707040A ,2020-01-17

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN109103252A ,2018-12-28

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

杨震 ;

赵晓燕 ;

周川淼 .

中国专利 :CN111384144A ,2020-07-07

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