一种压印光刻中凸起光栅对准标记的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010581347.1

申请日：

2010-12-09

公开(公告)号：

CN102053509A

公开(公告)日：

2011-05-11

发明(设计)人：

王莉丁玉成周洁宗学文魏慧芬卢秉恒

申请人：

申请人地址：

710049 陕西省西安市咸宁西路28号

IPC主分类号：

G03F900

IPC分类号：

G03F720

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

汪人和

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101081911786 IPC(主分类):G03F 9/00 专利申请号:2010105813471 申请日:20101209
2018-01-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 9/00 申请日:20101209 授权公告日:20120905 终止日期:20161209
2011-05-11	公开	公开
2012-09-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种对准光栅组及其光栅的制作方法 [P].

王亮 ;

秦金 ;

丁立 .

中国专利 :CN105242502B ,2016-01-13

[2]

薄金属层光刻对准标记的制作方法 [P].

童宇锋 ;

李伟峰 ;

陈福成 .

中国专利 :CN103000616A ,2013-03-27

[3]

一种用于光刻对准的光栅标记及其对准方法 [P].

夏豪杰 ;

许非凡 ;

方青林 ;

贺洁 ;

朱梓旭 .

中国专利 :CN119828428A ,2025-04-15

[4]

一种用于光刻对准的光栅标记及其对准方法 [P].

夏豪杰 ;

许非凡 ;

方青林 ;

贺洁 ;

朱梓旭 .

中国专利 :CN119828428B ,2025-10-03

[5]

一种用于半导体器件制备的光刻对准标记制作方法 [P].

吕元杰 ;

冯志红 ;

敦少博 ;

顾国栋 ;

韩婷婷 ;

王俊龙 .

中国专利 :CN103456659A ,2013-12-18

[6]

一种双光栅对准标记、对准方法 [P].

夏豪杰 ;

许非凡 ;

贺洁 ;

朱梓旭 ;

方青林 .

中国专利 :CN119556540A ,2025-03-04

[7]

光刻对准标记的制备方法 [P].

陈华伦 ;

陈雄斌 ;

陈瑜 ;

熊涛 ;

罗啸 .

中国专利 :CN101452211A ,2009-06-10

[8]

形成光刻对准标记的方法 [P].

季伟 ;

吴鹏 .

中国专利 :CN101958237A ,2011-01-26

[9]

化学机械抛光工艺后光刻对准标记的制作方法 [P].

李伟峰 ;

王雷 ;

王哲献 .

中国专利 :CN105529322A ,2016-04-27

[10]

用于光刻装置的掩模对准标记及对准方法 [P].

李焕炀 ;

陈勇辉 ;

宋海军 .

中国专利 :CN100587603C ,2008-03-12

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