扇出晶片级封装中的模制衬底封装

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811433153.X

申请日：

2018-11-28

公开(公告)号：

CN110112107A

公开(公告)日：

2019-08-09

发明(设计)人：

L·克泽尔 T·奥尔特 T·瓦格纳 B·魏达斯

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L2348 H01L23488 H01L2349 H01L23528

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

林金朝;王英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/31 申请日:20181128
2019-08-09	公开	公开
2021-07-16	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 23/31 登记生效日:20210702 变更事项:申请人变更前权利人:英特尔IP公司变更后权利人:英特尔公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚变更后权利人:美国加利福尼亚

共 50 条

[1]

扇出晶片级封装结构 [P].

蔡崇宣 ;

谢爵安 .

中国专利 :CN108711564A ,2018-10-26

[2]

扇出晶片级封装结构 [P].

蔡崇宣 ;

谢爵安 .

中国专利 :CN105826281A ,2016-08-03

[3]

扇出型晶片级封装结构 [P].

林钜富 ;

郭建利 ;

陈国明 .

中国专利 :CN105428327B ,2016-03-23

[4]

晶片级封装和组装晶片级封装的方法 [P].

何中雄 .

中国专利 :CN109524315A ,2019-03-26

[5]

晶片级封装 [P].

朴相昱 ;

金南锡 ;

白承德 .

中国专利 :CN102237330B ,2011-11-09

[6]

具有增强性能的晶片级扇出封装 [P].

乔纳森·哈勒·哈蒙德 ;

朱利奥·C·科斯塔 .

美国专利 :CN113169081B ,2024-05-28

[7]

具有增强性能的晶片级扇出封装 [P].

乔纳森·哈勒·哈蒙德 ;

朱利奥·C·科斯塔 .

中国专利 :CN113169081A ,2021-07-23

[8]

晶片级封装物及制作晶片级封装物的掩模 [P].

翁福田 ;

廖永顺 ;

罗益全 ;

张笔政 .

中国专利 :CN101414613A ,2009-04-22

[9]

扇出晶片级封装型半导体封装及包含其的叠层封装型半导体封装 [P].

全炯俊 ;

李来寅 ;

朴炳律 .

中国专利 :CN107808860A ,2018-03-16

[10]

扇出型晶片级封装件(FOWLP)中的射频(RF)屏蔽 [P].

D·D·金 ;

D·F·伯迪 ;

M·F·维勒兹 ;

C·H·芸 ;

左丞杰 ;

金钟海 ;

M·M·诺瓦克 .

中国专利 :CN107258013A ,2017-10-17

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