抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010164465.2

申请日：

2010-04-30

公开(公告)号：

CN101859782B

公开(公告)日：

2010-10-13

发明(设计)人：

刘文郝志华黄如

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200

代理人：

俞达成

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-30	授权	授权
2013-06-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101613229623 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL2010101644652 变更事项:专利权人变更前权利人:北京大学变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学变更后权利人:100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号变更事项:专利权人变更前权利人:无变更后权利人:北京大学登记生效日:20130523
2010-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101018888354 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2010101644652 申请日:20100430
2010-10-13	公开	公开

共 50 条

[1]

抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法 [P].

刘文 ;

郝志华 ;

黄如 .

中国专利 :CN101859781A ,2010-10-13

[2]

一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法 [P].

刘文 ;

郝志华 ;

黄如 .

中国专利 :CN101859783B ,2010-10-13

[3]

一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制备方法 [P].

吴晓宏 ;

李杨 ;

秦伟 ;

卢松涛 ;

洪杨 .

中国专利 :CN113990846B ,2022-01-28

[4]

抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 ;

王思浩 ;

黄德涛 ;

王健 .

中国专利 :CN101719497B ,2010-06-02

[5]

抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667573A ,2010-03-10

[6]

抗NMOS器件总剂量辐照的新型集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667578A ,2010-03-10

[7]

一种具有抗总剂量辐照的VDMOS器件及其制作方法 [P].

高群 .

中国专利 :CN109950306B ,2019-06-28

[8]

一种新型抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667576A ,2010-03-10

[9]

一种新型S栅SOI抗总剂量辐照器件装置 [P].

刘云涛 ;

李孟窈 .

中国专利 :CN111063729A ,2020-04-24

[10]

一种抗总剂量辐照的CMOS集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667580B ,2010-03-10

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