抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910093414.2

申请日：

2009-09-30

公开(公告)号：

CN101667573A

公开(公告)日：

2010-03-10

发明(设计)人：

刘文黄如

申请人：

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L2704

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所（普通合伙）

代理人：

俞达成

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101472744422 IPC(主分类):H01L 27/02 专利申请号:2009100934142 申请公布日:20100310
2010-03-10	公开	公开
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001298974 IPC(主分类):H01L 27/02 专利申请号:2009100934142 申请日:20090930

共 50 条

[1]

抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 ;

王思浩 ;

黄德涛 ;

王健 .

中国专利 :CN101719497B ,2010-06-02

[2]

抗NMOS器件总剂量辐照的新型集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667578A ,2010-03-10

[3]

一种新型抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667576A ,2010-03-10

[4]

基于高介电常数材料的抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667577A ,2010-03-10

[5]

一种抗总剂量辐照的CMOS集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667580B ,2010-03-10

[6]

一种新型的抗总剂量辐照的集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 ;

黄德涛 .

中国专利 :CN101752376A ,2010-06-23

[7]

一种新型的抗总剂量辐照的CMOS集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101661938B ,2010-03-03

[8]

抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法 [P].

刘文 ;

郝志华 ;

黄如 .

中国专利 :CN101859781A ,2010-10-13

[9]

抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法 [P].

刘文 ;

郝志华 ;

黄如 .

中国专利 :CN101859782B ,2010-10-13

[10]

一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法 [P].

刘文 ;

郝志华 ;

黄如 .

中国专利 :CN101859783B ,2010-10-13

← 1 2 3 4 5 →