一种新型的抗总剂量辐照的CMOS集成电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910092744.X

申请日：

2009-09-22

公开(公告)号：

CN101661938B

公开(公告)日：

2010-03-03

发明(设计)人：

刘文黄如

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L23552 H01L218238 H01L2176

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200

代理人：

俞达成

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-19	授权	授权
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001221946 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:200910092744X 申请日:20090922
2010-03-03	公开	公开
2013-06-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101614436908 IPC(主分类):H01L 27/092 专利号:ZL200910092744X 变更事项:专利权人变更前权利人:北京大学变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学变更后权利人:100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号变更事项:专利权人变更前权利人:无变更后权利人:北京大学登记生效日:20130524
2021-09-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20090922 授权公告日:20110119 终止日期:20200922

共 50 条

[1]

一种抗总剂量辐照的CMOS集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667580B ,2010-03-10

[2]

一种新型的抗总剂量辐照的集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 ;

黄德涛 .

中国专利 :CN101752376A ,2010-06-23

[3]

抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667573A ,2010-03-10

[4]

抗NMOS器件总剂量辐照的新型集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667578A ,2010-03-10

[5]

抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 ;

王思浩 ;

黄德涛 ;

王健 .

中国专利 :CN101719497B ,2010-06-02

[6]

一种新型抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667576A ,2010-03-10

[7]

基于高介电常数材料的抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667577A ,2010-03-10

[8]

一种CMOS集成电路抗辐照加固电路 [P].

毕津顺 ;

海潮和 ;

韩郑生 ;

罗家俊 .

中国专利 :CN102118152B ,2011-07-06

[9]

抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法 [P].

刘文 ;

郝志华 ;

黄如 .

中国专利 :CN101859782B ,2010-10-13

[10]

一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法 [P].

刘文 ;

郝志华 ;

黄如 .

中国专利 :CN101859783B ,2010-10-13

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