一种新型的抗总剂量辐照的集成电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910242576.8

申请日：

2009-12-18

公开(公告)号：

CN101752376A

公开(公告)日：

2010-06-23

发明(设计)人：

刘文黄如黄德涛

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200

代理人：

俞达成

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-23	公开	公开
2012-02-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101272574534 IPC(主分类):H01L 27/088 专利申请号:2009102425768 公开日:20100623
2010-08-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101004899928 IPC(主分类):H01L 27/088 专利申请号:2009102425768 申请日:20091218

共 50 条

[1]

抗NMOS器件总剂量辐照的新型集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667578A ,2010-03-10

[2]

抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 ;

王思浩 ;

黄德涛 ;

王健 .

中国专利 :CN101719497B ,2010-06-02

[3]

抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667573A ,2010-03-10

[4]

一种新型抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667576A ,2010-03-10

[5]

一种新型的抗总剂量辐照的CMOS集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101661938B ,2010-03-03

[6]

一种抗总剂量辐照的CMOS集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667580B ,2010-03-10

[7]

基于高介电常数材料的抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 [P].

刘文 ;

黄如 .

中国专利 :CN101667577A ,2010-03-10

[8]

抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法 [P].

刘文 ;

郝志华 ;

黄如 .

中国专利 :CN101859781A ,2010-10-13

[9]

抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法 [P].

刘文 ;

郝志华 ;

黄如 .

中国专利 :CN101859782B ,2010-10-13

[10]

一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法 [P].

刘文 ;

郝志华 ;

黄如 .

中国专利 :CN101859783B ,2010-10-13

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