一种具有抗总剂量辐照的VDMOS器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910256413.9

申请日：

2019-04-01

公开(公告)号：

CN109950306B

公开(公告)日：

2019-06-28

发明(设计)人：

高群

申请人：

申请人地址：

310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5幢603室

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2951 H01L2978 H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京格允知识产权代理有限公司 11609

代理人：

张沫

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20190401
2020-05-22	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/423 变更事项:发明人变更前:高群陈华莫炯炯变更后:高群
2019-06-28	公开	公开
2020-12-11	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有抗辐照性能的VDMOS器件制造方法 [P].

赵元富 ;

张文敏 ;

王传敏 .

中国专利 :CN104576398B ,2015-04-29

[2]

抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法 [P].

刘文 ;

郝志华 ;

黄如 .

中国专利 :CN101859781A ,2010-10-13

[3]

抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法 [P].

刘文 ;

郝志华 ;

黄如 .

中国专利 :CN101859782B ,2010-10-13

[4]

一种VDMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298925A ,2017-01-04

[5]

一种具有双层绝缘层结构的抗总剂量辐照的VDMOS器件 [P].

朱宇清 ;

郑莹 .

中国专利 :CN106783947A ,2017-05-31

[6]

VDMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 ;

任春红 .

中国专利 :CN106298928B ,2017-01-04

[7]

一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件 [P].

马万里 ;

闻正锋 .

中国专利 :CN106033776B ,2016-10-19

[8]

一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105225952A ,2016-01-06

[9]

一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法 [P].

刘文 ;

郝志华 ;

黄如 .

中国专利 :CN101859783B ,2010-10-13

[10]

一种VDMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 .

中国专利 :CN105990152B ,2016-10-05

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