表面沉积非晶碳薄膜降低石墨电极消耗的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110031956.4

申请日：

2011-01-28

公开(公告)号：

CN102102171A

公开(公告)日：

2011-06-22

发明(设计)人：

邹友生徐锋杨晓智刘明

申请人：

申请人地址：

226002 江苏省南通市唐家闸西市街208号

IPC主分类号：

C23C1406

IPC分类号：

C23C1434 C04B4187 H05B7085

代理机构：

南京理工大学专利中心 32203

代理人：

唐代盛

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101565408240 IPC(主分类):C23C 14/06 专利申请号:2011100319564 申请公布日:20110622
2011-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101094137063 IPC(主分类):C23C 14/06 专利申请号:2011100319564 申请日:20110128
2011-06-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种镁合金表面改性沉积非晶碳薄膜的方法 [P].

邹友生 ;

吴远方 .

中国专利 :CN101838791B ,2010-09-22

[2]

橡胶表面制备非晶碳薄膜的方法、非晶碳薄膜材料及用途 [P].

王永欣 ;

辛梓滟 ;

吴于涛 ;

方焕杰 .

中国专利 :CN120349555A ,2025-07-22

[3]

石墨电极的表面改性方法 [P].

刘明 ;

李志宏 ;

周晓红 .

中国专利 :CN104591771B ,2015-05-06

[4]

一种ICP-CVD制备非晶碳薄膜的沉积方法 [P].

许开东 ;

崔虎山 ;

邹志文 ;

丁光辉 ;

胡冬冬 ;

陈璐 .

中国专利 :CN110257798A ,2019-09-20

[5]

降低在沉积非晶碳膜时晶圆背面金属污染的方法 [P].

朱亚丹 ;

周军 .

中国专利 :CN103219226B ,2013-07-24

[6]

石墨加热器、石墨电极和降低硅片中碳含量的方法 [P].

潘家明 .

中国专利 :CN103255469A ,2013-08-21

[7]

一种非晶碳薄膜表面结构的表征方法 [P].

王福 ;

张广安 ;

李东山 ;

王赵锋 .

中国专利 :CN119804418A ,2025-04-11

[8]

双石墨电极制备纳米石墨碳溶胶的方法 [P].

孟国军 ;

刘芳德 ;

李胜南 ;

吴翔 ;

陈万哲 .

中国专利 :CN1378975A ,2002-11-13

[9]

一种降低电弧炉超高功率石墨电极消耗的冶炼方法 [P].

胡楚江 ;

李金伟 .

中国专利 :CN111996331B ,2020-11-27

[10]

提高碳基电极表面性能的复合涂层、石墨电极及制备方法 [P].

张平则 ;

王彦 ;

杨凯 ;

李淑琴 ;

魏东博 ;

李逢昆 ;

党博 .

中国专利 :CN115404452A ,2022-11-29

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