降低在沉积非晶碳膜时晶圆背面金属污染的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310121487.4

申请日：

2013-04-09

公开(公告)号：

CN103219226B

公开(公告)日：

2013-07-24

发明(设计)人：

朱亚丹周军

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

陆花

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-24	公开	公开
2015-12-02	授权	授权
2013-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101509128271 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013101214874 申请日:20130409

共 50 条

[1]

背面沉积有非晶相碳膜的晶圆及其制备方法和应用 [P].

李霖 ;

李培培 .

中国专利 :CN119694881A ,2025-03-25

[2]

非晶碳膜的分子层沉积 [P].

巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;

马克·沙丽 ;

阿布海杰特·巴苏·马利克 ;

尤金·于金·空 ;

齐波 .

中国专利 :CN113373429A ,2021-09-10

[3]

表面沉积非晶碳薄膜降低石墨电极消耗的方法 [P].

邹友生 ;

徐锋 ;

杨晓智 ;

刘明 .

中国专利 :CN102102171A ,2011-06-22

[4]

沉积非晶硅膜的方法 [P].

加施·帕特尔 ;

刘玉菲 .

中国专利 :CN103938179A ,2014-07-23

[5]

非晶碳膜、形成非晶碳膜的方法、具有非晶碳膜的导电性部件以及燃料电池用隔板 [P].

伊关崇 ;

山田由香 ;

中西和之 ;

大岛正 ;

森广行 ;

堀江俊男 ;

铃木宪一 ;

北原学 .

中国专利 :CN101448740B ,2009-06-03

[6]

晶圆边缘非晶碳薄膜清除装置及方法 [P].

雷通 ;

邱裕明 .

中国专利 :CN104091772A ,2014-10-08

[7]

高温沉积非晶碳层的方法 [P].

马丁·杰西蒙斯 ;

尤加南德·N·萨利帕里 ;

光得·道格拉斯·李 ;

博·恒·金 ;

维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ;

温蒂·H·叶 ;

约瑟芬·汝－伟·张刘 ;

埃米尔·阿拉－巴亚提 ;

德里克·R·维迪 ;

伊沙姆·迈'萨德 .

中国专利 :CN101407909A ,2009-04-15

[8]

一种非晶碳膜的制备方法 [P].

吴春春 ;

杨挺 ;

王涛 ;

张云飞 .

中国专利 :CN114231942A ,2022-03-25

[9]

沉积非晶硅的成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 ;

朱兴旺 .

中国专利 :CN109148263A ,2019-01-04

[10]

解决在高温非晶碳沉积的厚膜沉积期间的自发电弧 [P].

许璐 ;

B·S·权 ;

V·卡尔塞卡尔 ;

V·K·普拉巴卡尔 ;

P·K·库尔施拉希萨 ;

D·H·李 ;

K·D·李 .

中国专利 :CN112041480A ,2020-12-04

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