一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201310473279.0
申请日
2013-10-11
公开(公告)号
CN103500707A
公开(公告)日
2014-01-08
发明(设计)人
汪宁
申请人
申请人地址
100083 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号
H01L21306
IPC分类号
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
任岩
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种对InP基RFIC晶圆进行磁流变减薄抛光的方法 [P]. 
汪宁 .
中国专利 :CN103495908A ,2014-01-08
[2]
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周旭 ;
梁超 ;
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[3]
一种对InP材料进行减薄和抛光的方法 [P]. 
汪宁 ;
苏永波 ;
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[4]
一种电化学抛光金属互连晶圆结构的方法 [P]. 
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王坚 ;
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[5]
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薛正群 .
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[6]
一种INP片减薄抛光工艺方法 [P]. 
黄惠莺 ;
薛正群 .
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[7]
一种电化学抛光方法与电化学抛光装置 [P]. 
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[8]
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谢剑锋 .
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[9]
一种晶圆减薄抛光装置 [P]. 
陈爱军 ;
俞斌 .
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[10]
一种晶圆减薄抛光装置 [P]. 
李蛇宏 ;
杨益东 .
中国专利 :CN114473822B ,2022-05-13