一种对InP材料进行减薄和抛光的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310068641.6

申请日：

2013-03-05

公开(公告)号：

CN103199014B

公开(公告)日：

2013-07-10

发明(设计)人：

汪宁苏永波金智

申请人：

申请人地址：

100083 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

H01L213065 B24B3720

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-10	公开	公开
2013-08-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101503522191 IPC(主分类):H01L 21/304 专利申请号:2013100686416 申请日:20130305
2015-11-11	授权	授权

共 50 条

[1]

一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法 [P].

汪宁 .

中国专利 :CN103500707A ,2014-01-08

[2]

一种对InP基RFIC晶圆进行磁流变减薄抛光的方法 [P].

汪宁 .

中国专利 :CN103495908A ,2014-01-08

[3]

一种INP片减薄抛光工艺方法 [P].

黄惠莺 ;

薛正群 .

中国专利 :CN114864383A ,2022-08-05

[4]

一种INP片减薄抛光工艺方法 [P].

黄惠莺 ;

薛正群 .

中国专利 :CN114864383B ,2025-07-29

[5]

一种对InP衬底进行化学机械抛光的方法 [P].

汪宁 ;

苏永波 ;

金智 .

中国专利 :CN103144023B ,2013-06-12

[6]

一种磷化铟的减薄抛光方法 [P].

孙锦洋 .

中国专利 :CN114131434B ,2022-03-04

[7]

一种半导体材料的减薄抛光方法及减薄抛光装置 [P].

林政勋 ;

郭轲科 .

中国专利 :CN116936344B ,2025-08-26

[8]

硬质材料减薄抛光的工艺方法 [P].

朱孟奎 .

中国专利 :CN104128879A ,2014-11-05

[9]

一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法 [P].

汪宁 ;

陈晓娟 ;

罗卫军 ;

庞磊 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102427034A ,2012-04-25

[10]

一种用于样品减薄抛光的高精度调节装置及利用其对样品减薄抛光的方法 [P].

沙建军 ;

马贝贝 ;

王宏瑞 .

中国专利 :CN120791553A ,2025-10-17

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