一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110375079.2

申请日：

2011-11-23

公开(公告)号：

CN102427034A

公开(公告)日：

2012-04-25

发明(设计)人：

汪宁陈晓娟罗卫军庞磊刘新宇

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

H01L2102 C09G102

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101261316735 IPC(主分类):H01L 21/304 专利申请号:2011103750792 申请日:20111123
2012-04-25	公开	公开
2013-08-07	授权	授权

共 50 条

[1]

一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法 [P].

汪宁 ;

陈晓娟 ;

罗卫军 ;

庞磊 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102214555A ,2011-10-12

[2]

一种对碳化硅晶片进行减薄的方法 [P].

汪宁 ;

陈晓娟 ;

罗卫军 ;

庞磊 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102214565A ,2011-10-12

[3]

一种晶片减薄的抛光装置 [P].

赵钦 ;

徐合东 ;

解小龙 .

中国专利 :CN222874203U ,2025-05-16

[4]

一种对InP材料进行减薄和抛光的方法 [P].

汪宁 ;

苏永波 ;

金智 .

中国专利 :CN103199014B ,2013-07-10

[5]

一种GaAs晶片的精密抛光方法 [P].

王乐军 ;

宋士佳 ;

李琳琳 ;

刘桂勇 ;

姜宏 ;

彭东阳 .

中国专利 :CN107953152A ,2018-04-24

[6]

一种抛光减薄装置和抛光减薄方法 [P].

汪宁 .

中国专利 :CN111300260A ,2020-06-19

[7]

一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法 [P].

汪宁 .

中国专利 :CN103500707A ,2014-01-08

[8]

一种键合晶片的单面减薄方法 [P].

潘正强 ;

徐耀辉 ;

徐秋峰 ;

张忠伟 ;

沈浩 ;

钱煜 ;

孔辉 .

中国专利 :CN117219502B ,2024-01-12

[9]

一种对InP基RFIC晶圆进行磁流变减薄抛光的方法 [P].

汪宁 .

中国专利 :CN103495908A ,2014-01-08

[10]

一种半导体材料的减薄抛光方法及减薄抛光装置 [P].

林政勋 ;

郭轲科 .

中国专利 :CN116936344B ,2025-08-26

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