一种对碳化硅晶片进行减薄的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010145299.1

申请日：

2010-04-09

公开(公告)号：

CN102214565A

公开(公告)日：

2011-10-12

发明(设计)人：

汪宁陈晓娟罗卫军庞磊刘新宇

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21302

IPC分类号：

H01L21304 H01L21306

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-10-12	公开	公开
2012-10-03	授权	授权
2011-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101143713828 IPC(主分类):H01L 21/302 专利申请号:2010101452991 申请日:20100409

共 50 条

[1]

一种碳化硅晶片减薄装置及方法 [P].

姚智勇 ;

贺贤汉 ;

李有群 ;

蔡佳琳 ;

吴寒 .

中国专利 :CN114714234A ,2022-07-08

[2]

一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法 [P].

汪宁 ;

陈晓娟 ;

罗卫军 ;

庞磊 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102214555A ,2011-10-12

[3]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746324B ,2024-04-30

[4]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746324A ,2021-05-04

[5]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746317A ,2021-05-04

[6]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746317B ,2024-05-31

[7]

碳化硅晶锭、碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制造方法 [P].

堂本千秋 ;

正木克明 ;

柴田和也 ;

山口恵彥 ;

上山大辅 .

中国专利 :CN105940149A ,2016-09-14

[8]

碳化硅晶片的制造方法、碳化硅晶片和制造晶片的系统 [P].

金政圭 ;

具甲烈 ;

徐正斗 ;

崔正宇 ;

朴钟辉 .

韩国专利 :CN114762995B ,2024-04-26

[9]

一种碳化硅晶体的制备方法、碳化硅晶片、碳化硅衬底及半导体器件 [P].

林大野 ;

王治中 ;

蔡钦铭 .

中国专利 :CN113463197A ,2021-10-01

[10]

碳化硅晶片的制造方法、碳化硅晶片和制造晶片的系统 [P].

金政圭 ;

具甲烈 ;

徐正斗 ;

崔正宇 ;

朴钟辉 .

中国专利 :CN114762995A ,2022-07-19

← 1 2 3 4 5 →