一种对碳化硅晶片进行减薄的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010145299.1
申请日
2010-04-09
公开(公告)号
CN102214565A
公开(公告)日
2011-10-12
发明(设计)人
汪宁 陈晓娟 罗卫军 庞磊 刘新宇
申请人
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号
H01L21302
IPC分类号
H01L21304 H01L21306
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
周国城
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[21]
碳化硅晶片的制备方法 [P]. 
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[23]
形成晶片如碳化硅晶片的方法 [P]. 
杰里米·安德烈·图尔科德 ;
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[29]
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[30]
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