用于处理多晶碳化硅晶片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380062340.4

申请日：

2023-09-04

公开(公告)号：

CN119790485A

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

W·施瓦岑巴赫 S·鲁什尔 S·莫努瓦耶

申请人：

SOITEC公司

申请人地址：

法国贝尔尼

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/304 H01L21/18

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;于高瞻

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20230904
2025-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746324B ,2024-04-30

[2]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746324A ,2021-05-04

[3]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746317A ,2021-05-04

[4]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746317B ,2024-05-31

[5]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[6]

碳化硅晶锭、碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制造方法 [P].

堂本千秋 ;

正木克明 ;

柴田和也 ;

山口恵彥 ;

上山大辅 .

中国专利 :CN105940149A ,2016-09-14

[7]

碳化硅晶片的表面处理方法 [P].

郭钰 ;

刘春俊 ;

眭旭 ;

张世颖 ;

晁欢 ;

彭同华 ;

杨建 .

中国专利 :CN114290132A ,2022-04-08

[8]

碳化硅晶片的制造方法、碳化硅晶片和制造晶片的系统 [P].

金政圭 ;

具甲烈 ;

徐正斗 ;

崔正宇 ;

朴钟辉 .

韩国专利 :CN114762995B ,2024-04-26

[9]

碳化硅晶片的制造方法、碳化硅晶片和制造晶片的系统 [P].

金政圭 ;

具甲烈 ;

徐正斗 ;

崔正宇 ;

朴钟辉 .

中国专利 :CN114762995A ,2022-07-19

[10]

碳化硅晶体及碳化硅晶片 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN117364247A ,2024-01-09

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