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一种INP片减薄抛光工艺方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210504658.0
申请日：
2022-05-10
公开(公告)号：
CN114864383B
公开(公告)日：
2025-07-29
发明(设计)人：
黄惠莺 薛正群
申请人：
福建中科光芯光电科技有限公司
申请人地址：
362712 福建省泉州市石狮市高新区创新创业中心11#厂房1层
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
B24B1/00
代理机构：
福州元创专利商标代理有限公司 35100
代理人：
张灯灿;蔡学俊
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-29 授权 授权
共 50 条
[1]
一种INP片减薄抛光工艺方法 [P]. 
黄惠莺 ;
薛正群 .
中国专利 :CN114864383A ,2022-08-05
[2]
一种磷化铟的减薄抛光方法 [P]. 
孙锦洋 .
中国专利 :CN114131434B ,2022-03-04
[3]
一种对InP基RFIC晶圆进行磁流变减薄抛光的方法 [P]. 
汪宁 .
中国专利 :CN103495908A ,2014-01-08
[4]
一种抛光减薄装置和抛光减薄方法 [P]. 
汪宁 .
中国专利 :CN111300260A ,2020-06-19
[5]
硬质材料减薄抛光的工艺方法 [P]. 
朱孟奎 .
中国专利 :CN104128879A ,2014-11-05
[6]
一种对InP材料进行减薄和抛光的方法 [P]. 
汪宁 ;
苏永波 ;
金智 .
中国专利 :CN103199014B ,2013-07-10
[7]
一种表面异质结构的快速减薄抛光方法 [P]. 
陈春明 ;
赵广宏 ;
汪郁东 ;
张姗 ;
郭伟龙 .
中国专利 :CN112563132A ,2021-03-26
[8]
一种表面异质结构的快速减薄抛光方法 [P]. 
陈春明 ;
赵广宏 ;
汪郁东 ;
张姗 ;
郭伟龙 .
中国专利 :CN112563132B ,2024-06-04
[9]
一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法 [P]. 
汪宁 .
中国专利 :CN103500707A ,2014-01-08
[10]
一种SiC减薄方法 [P]. 
闫未霞 .
中国专利 :CN105470122A ,2016-04-06
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