一种SiC减薄方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510814833.6

申请日：

2015-11-20

公开(公告)号：

CN105470122A

公开(公告)日：

2016-04-06

发明(设计)人：

闫未霞

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

H01L21306

代理机构：

成都华风专利事务所(普通合伙) 51223

代理人：

胡川

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-04	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101731894369 IPC(主分类):H01L 21/304 专利申请号:2015108148336 变更事项:申请人变更前:成都嘉石科技有限公司变更后:成都海威华芯科技有限公司变更事项:地址变更前:610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内变更后:610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内
2019-05-24	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/304 申请公布日:20160406
2016-04-06	公开	公开
2016-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101658490249 IPC(主分类):H01L 21/304 专利申请号:2015108148336 申请日:20151120

共 50 条

[1]

SiC衬底的减薄方法 [P].

魏珂 ;

黄俊 ;

刘果果 ;

李诚瞻 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102214568A ,2011-10-12

[2]

一种INP片减薄抛光工艺方法 [P].

黄惠莺 ;

薛正群 .

中国专利 :CN114864383B ,2025-07-29

[3]

一种INP片减薄抛光工艺方法 [P].

黄惠莺 ;

薛正群 .

中国专利 :CN114864383A ,2022-08-05

[4]

一种大尺寸SiC晶片的减薄加工方法 [P].

赵新田 ;

王洪 ;

张昊翔 .

中国专利 :CN119517738B ,2025-11-21

[5]

一种大尺寸SiC晶片的减薄加工方法 [P].

赵新田 ;

王洪 ;

张昊翔 .

中国专利 :CN119517738A ,2025-02-25

[6]

一种抛光减薄装置和抛光减薄方法 [P].

汪宁 .

中国专利 :CN111300260A ,2020-06-19

[7]

一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法 [P].

汪宁 ;

陈晓娟 ;

罗卫军 ;

庞磊 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102214555A ,2011-10-12

[8]

一种硅片减薄方法 [P].

王思亮 ;

胡强 ;

张世勇 ;

樱井建弥 .

中国专利 :CN103606517A ,2014-02-26

[9]

晶片的减薄方法 [P].

谢红梅 ;

刘煊杰 .

中国专利 :CN102820218B ,2012-12-12

[10]

一种对碳化硅晶片进行减薄的方法 [P].

汪宁 ;

陈晓娟 ;

罗卫军 ;

庞磊 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102214565A ,2011-10-12

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