一种大尺寸SiC晶片的减薄加工方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411532679.9

申请日：

2024-10-30

公开(公告)号：

CN119517738B

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

赵新田王洪张昊翔

申请人：

中山市华南理工大学现代产业技术研究院华南理工大学

申请人地址：

528437 广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房

IPC主分类号：

H01L21/304

IPC分类号：

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

江裕强

法律状态：

公开

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	公开	公开
2025-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/304申请日:20241030
2025-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

一种大尺寸SiC晶片的减薄加工方法 [P].

赵新田 ;

王洪 ;

张昊翔 .

中国专利 :CN119517738A ,2025-02-25

[2]

一种大尺寸的CdS单晶片的减薄工艺 [P].

李晖 ;

徐世海 ;

高飞 ;

司华青 ;

边子夫 ;

王磊 ;

张弛 ;

张海磊 ;

宋扬 .

中国专利 :CN106378671B ,2017-02-08

[3]

一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法 [P].

孔令沂 ;

孙国胜 ;

卓俊辉 ;

刘丹 ;

韩景瑞 ;

张新河 ;

李锡光 ;

萧黎鑫 .

中国专利 :CN106625204B ,2017-05-10

[4]

一种SiC减薄方法 [P].

闫未霞 .

中国专利 :CN105470122A ,2016-04-06

[5]

一种LED晶片减薄方法 [P].

李法健 ;

吴金凤 .

中国专利 :CN118198210A ,2024-06-14

[6]

一种大尺寸硅圆片减薄装置及其减薄工艺 [P].

裴坤羽 ;

祝斌 ;

刘蛟龙 ;

武卫 ;

孙晨光 ;

刘建伟 ;

王聚安 ;

由佰玲 ;

刘园 ;

谢艳 ;

杨春雪 ;

刘秒 ;

常雪岩 ;

吕莹 ;

徐荣清 .

中国专利 :CN110842762A ,2020-02-28

[7]

SiC晶片的加工方法 [P].

铃木克彦 .

中国专利 :CN107305864B ,2017-10-31

[8]

SiC晶片的加工方法 [P].

灰本隆志 .

中国专利 :CN114603727A ,2022-06-10

[9]

一种键合晶片的减薄方法 [P].

王娉婷 ;

奚民伟 .

中国专利 :CN104733300B ,2015-06-24

[10]

一种大尺寸晶圆片减薄工艺 [P].

刘姣龙 ;

刘建伟 ;

刘园 ;

武卫 ;

由佰玲 ;

裴坤羽 ;

孙晨光 ;

王彦君 ;

祝斌 ;

常雪岩 ;

杨春雪 ;

谢艳 ;

袁祥龙 ;

张宏杰 ;

刘秒 ;

吕莹 ;

徐荣清 .

中国专利 :CN112757055B ,2021-05-07

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