导电氧氮化物及导电氧氮化物膜的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910211814.9

申请日：

2009-10-30

公开(公告)号：

CN101728000B

公开(公告)日：

2010-06-09

发明(设计)人：

坂田淳一郎丸山哲纪井本裕己浅野裕治肥塚纯一

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01B100

IPC分类号：

H01B106 H01B1300 H01B514 H01L29786 H01L2924 C03C1722 C04B4185 C01B2120

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

项丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101156318614 IPC(主分类):H01B 1/00 专利申请号:2009102118149 申请日:20091030
2010-06-09	公开	公开
2014-05-07	授权	授权

共 50 条

[1]

形成氧氮化物膜和氮化物膜的方法和装置、氧氮化物膜、氮化物膜和基材 [P].

藤村纪文 ;

早川竜马 ;

北畠裕也 ;

上原刚 ;

屋良卓也 .

中国专利 :CN1938835A ,2007-03-28

[2]

金属氧氮化物膜的制造方法 [P].

种村和幸 ;

三本菅正太 ;

奥野直树 .

日本专利 :CN119753828A ,2025-04-04

[3]

金属氧氮化物膜的制造方法 [P].

种村和幸 ;

三本菅正太 ;

奥野直树 .

日本专利 :CN112335024B ,2025-01-24

[4]

金属氧氮化物膜的制造方法 [P].

种村和幸 ;

三本菅正太 ;

奥野直树 .

中国专利 :CN112335024A ,2021-02-05

[5]

氧氮化物半导体 [P].

板垣奈穗 ;

岩崎达哉 ;

渡边壮俊 ;

田透 .

中国专利 :CN101663762B ,2010-03-03

[6]

氧氮化物半导体薄膜 [P].

西村英一郎 ;

中山德行 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN105009298B ,2015-10-28

[7]

氧氮化物荧光体粉末、氧氮化物荧光体粉末制造用氮化硅粉末及氧氮化物荧光体粉末的制造方法 [P].

藤永昌孝 ;

上田孝之 ;

酒井拓马 ;

治田慎辅 .

中国专利 :CN103842473B ,2014-06-04

[8]

氮化物荧光体或氧氮化物荧光体的制造方法 [P].

后藤昌大 ;

坂根坚之 .

中国专利 :CN101522858B ,2009-09-02

[9]

氧氮化物粉末及其制造方法 [P].

广崎尚登 ;

末广隆之 .

中国专利 :CN100564249C ,2007-03-21

[10]

导电的IIIA族氮化物晶体的制造方法,导电的IIIA族氮化物衬底的制造方法及导电的IIIA族氮化物衬底 [P].

吉田丈洋 .

中国专利 :CN102134742A ,2011-07-27

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