金属氧氮化物膜的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980039953.X

申请日：

2019-06-24

公开(公告)号：

CN112335024B

公开(公告)日：

2025-01-24

发明(设计)人：

种村和幸三本菅正太奥野直树

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L21/363

IPC分类号：

C23C14/06 C23C14/08 C23C14/34 H10D30/67 H10H20/817

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

张智慧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-24	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧氮化物膜的制造方法 [P].

种村和幸 ;

三本菅正太 ;

奥野直树 .

日本专利 :CN119753828A ,2025-04-04

[2]

金属氧氮化物膜的制造方法 [P].

种村和幸 ;

三本菅正太 ;

奥野直树 .

中国专利 :CN112335024A ,2021-02-05

[3]

导电氧氮化物及导电氧氮化物膜的制造方法 [P].

坂田淳一郎 ;

丸山哲纪 ;

井本裕己 ;

浅野裕治 ;

肥塚纯一 .

中国专利 :CN101728000B ,2010-06-09

[4]

形成氧氮化物膜和氮化物膜的方法和装置、氧氮化物膜、氮化物膜和基材 [P].

藤村纪文 ;

早川竜马 ;

北畠裕也 ;

上原刚 ;

屋良卓也 .

中国专利 :CN1938835A ,2007-03-28

[5]

金属氮化物及金属氮化物的制造方法 [P].

辻秀人 .

中国专利 :CN1993292B ,2007-07-04

[6]

金属氮化物的制造方法 [P].

若松智 ;

秋元光司 .

中国专利 :CN114728787A ,2022-07-08

[7]

金属氮化物的制造方法 [P].

常世田和彦 ;

铃木将治 ;

初森智纪 .

中国专利 :CN102971256B ,2013-03-13

[8]

金属氮化物的制造方法 [P].

若松智 ;

秋元光司 .

中国专利 :CN114728788A ,2022-07-08

[9]

氮化物荧光体或氧氮化物荧光体的制造方法 [P].

后藤昌大 ;

坂根坚之 .

中国专利 :CN101522858B ,2009-09-02

[10]

氧氮化物粉末及其制造方法 [P].

广崎尚登 ;

末广隆之 .

中国专利 :CN100564249C ,2007-03-21

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