变掺杂结构屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111340000.2

申请日：

2021-11-12

公开(公告)号：

CN114156335A

公开(公告)日：

2022-03-08

发明(设计)人：

张子敏王宇澄虞国新吴飞钟军满

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢8层810

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L21336

代理机构：

广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙) 44438

代理人：

刁益帆

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20211112
2022-03-08	公开	公开

共 50 条

[1]

变掺杂结构屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法 [P].

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 ;

吴飞 ;

钟军满 .

中国专利 :CN114156335B ,2025-09-09

[2]

屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法 [P].

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 ;

吴飞 ;

钟军满 .

中国专利 :CN114141875A ,2022-03-04

[3]

变掺杂浓度结构的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及制备方法 [P].

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 ;

吴飞 ;

钟军满 .

中国专利 :CN114744037A ,2022-07-12

[4]

屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法 [P].

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 ;

吴飞 ;

钟军满 .

中国专利 :CN114141861A ,2022-03-04

[5]

屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法 [P].

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 ;

吴飞 ;

钟军满 .

中国专利 :CN114141861B ,2025-09-05

[6]

双沟槽型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 ;

吴飞 ;

钟军满 .

中国专利 :CN114566547A ,2022-05-31

[7]

屏蔽栅沟槽场效应晶体管及其制备方法 [P].

宋勇 ;

李雪梅 ;

张雪 .

中国专利 :CN113035715B ,2021-06-25

[8]

屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管及其制备方法 [P].

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 ;

吴飞 ;

钟军满 .

中国专利 :CN114284342A ,2022-04-05

[9]

屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管及其制备方法 [P].

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 ;

吴飞 ;

钟军满 .

中国专利 :CN114284342B ,2025-10-28

[10]

屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构 [P].

郭亮良 .

中国专利 :CN215183977U ,2021-12-14

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