双沟槽型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210102628.7

申请日：

2022-01-27

公开(公告)号：

CN114566547A

公开(公告)日：

2022-05-31

发明(设计)人：

张子敏王宇澄虞国新吴飞钟军满

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢8层810

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906 H01L21336

代理机构：

广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙) 44438

代理人：

陈惠珠;苏维勤

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-31	公开	公开
2022-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20220127

共 50 条

[1]

屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法 [P].

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 ;

吴飞 ;

钟军满 .

中国专利 :CN114141875A ,2022-03-04

[2]

屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法 [P].

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 ;

吴飞 ;

钟军满 .

中国专利 :CN114141861A ,2022-03-04

[3]

屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法 [P].

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 ;

吴飞 ;

钟军满 .

中国专利 :CN114141861B ,2025-09-05

[4]

屏蔽栅沟槽场效应晶体管及其制备方法 [P].

宋勇 ;

李雪梅 ;

张雪 .

中国专利 :CN113035715B ,2021-06-25

[5]

屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管及其制备方法 [P].

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 ;

吴飞 ;

钟军满 .

中国专利 :CN114284342A ,2022-04-05

[6]

屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管及其制备方法 [P].

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 ;

吴飞 ;

钟军满 .

中国专利 :CN114284342B ,2025-10-28

[7]

沟槽栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

许耀光 ;

刘安淇 ;

蔡建成 ;

郑俊义 .

中国专利 :CN114927567A ,2022-08-19

[8]

沟槽栅场效应晶体管及制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN106057905A ,2016-10-26

[9]

屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

李枭 ;

谢志平 ;

刘长灵 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN111627820B ,2020-09-04

[10]

屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

周圣杰 ;

宋金星 .

中国专利 :CN118866690A ,2024-10-29

← 1 2 3 4 5 →