用于沟槽的原位掺杂的多晶硅填充料

被引：0

申请号：

CN202210650341.8

申请日：

2015-12-14

公开(公告)号：

CN115036212A

公开(公告)日：

2022-09-09

发明(设计)人：

B·斯里尼瓦桑 K·Q·勒 C·怀特 S·科威查罗恩库尔 A·诺里斯 B·J·费舍尔

申请人：

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H01L21285

IPC分类号：

H01L2945

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

袁策

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-09	公开	公开
2022-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/285 申请日:20151214

共 50 条

[1]

用于沟槽的原位掺杂的多晶硅填充料 [P].

B·斯里尼瓦桑 ;

K·Q·勒 ;

C·怀特 ;

S·科威查罗恩库尔 ;

A·诺里斯 ;

B·J·费舍尔 .

中国专利 :CN105702716A ,2016-06-22

[2]

针对沟槽原位掺杂然后未掺杂多晶硅填充料 [P].

B·斯里尼瓦桑 ;

B·胡 ;

K·Q·勒 ;

S·科威查罗恩库尔 .

中国专利 :CN107068609A ,2017-08-18

[3]

IGBT栅极沟槽多晶硅的填充方法 [P].

刘继全 ;

孙勤 ;

李琳松 .

中国专利 :CN103035502A ,2013-04-10

[4]

具有厚的多晶硅－多晶硅隔离的分裂栅极沟槽功率MOSFET [P].

阮文征 ;

严俊荣 ;

V·埃涅亚 .

:CN118588745A ,2024-09-03

[5]

接触孔内填充磷掺杂多晶硅的方法 [P].

李相遇 ;

安重镒 ;

熊文娟 ;

蒋浩杰 ;

崔恒玮 ;

李亭亭 .

中国专利 :CN114628316A ,2022-06-14

[6]

用于沟槽器件的栅极多晶硅馈送结构 [P].

藤森龄龟 .

美国专利 :CN111834459B ,2025-05-02

[7]

用于沟槽器件的栅极多晶硅馈送结构 [P].

藤森龄龟 .

中国专利 :CN111834459A ,2020-10-27

[8]

接触孔中填充多晶硅的方法 [P].

崔锺武 ;

金成基 ;

刘金彪 ;

杨涛 ;

贺晓彬 ;

项金娟 ;

王垚 .

中国专利 :CN114678325A ,2022-06-28

[9]

为沟槽MOS和SGT制备沟槽多晶硅静电放电 [P].

常虹 ;

陈军 .

中国专利 :CN102610568B ,2012-07-25

[10]

LPCVD原位掺杂多晶硅薄膜的制造方法 [P].

吴家辉 ;

郭宗涛 ;

刘耀花 ;

张宾 ;

郑刚 ;

蔡毅 .

中国专利 :CN117947402A ,2024-04-30

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