包括用于导通孔的碳基材料的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980142002.1

申请日：

2009-08-28

公开(公告)号：

CN102197476B

公开(公告)日：

2011-09-21

发明(设计)人：

R·塞德尔 F·费尤斯特 R·里克特

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L23532

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;孙向民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-13	授权	授权
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101141112515 IPC(主分类):H01L 23/48 专利申请号:2009801420021 申请日:20090828
2011-09-21	公开	公开

共 50 条

[1]

用于半导体器件的布线层的通孔 [P].

C·V·亚恩斯 ;

刘小虎 ;

B·C·韦布 .

中国专利 :CN104112704A ,2014-10-22

[2]

用于半导体器件的通孔 [P].

埃里克·阿米勒 ;

E·威廉·科威尔三世 .

中国专利 :CN208298810U ,2018-12-28

[3]

具有衬底通孔的半导体器件和制造具有衬底通孔的半导体器件的方法 [P].

伯恩哈德·勒夫勒 ;

托马斯·博德纳 ;

耶格·西格特 .

中国专利 :CN113474877A ,2021-10-01

[4]

具有衬底通孔的半导体器件和制造具有衬底通孔的半导体器件的方法 [P].

伯恩哈德·勒夫勒 ;

托马斯·博德纳 ;

耶格·西格特 .

:CN113474877B ,2024-08-02

[5]

包括二维半导体材料的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113224144A ,2021-08-06

[6]

用于制造半导体器件的方法和包括具有通孔的芯片的半导体器件 [P].

埃里克·索吉尔 .

中国专利 :CN102254858B ,2011-11-23

[7]

一种半导体器件的导通孔结构 [P].

张文奇 ;

戴风伟 ;

李明 ;

张俊红 ;

高兰雅 .

中国专利 :CN106783797A ,2017-05-31

[8]

包括邻近隔离结构的多孔半导体材料的半导体器件 [P].

S·M·潘迪 ;

R·克里希纳萨米 .

美国专利 :CN118380469A ,2024-07-23

[9]

具有半导体通孔的半导体器件 [P].

A.P.迈泽尔 ;

M.聪德尔 .

中国专利 :CN103022132A ,2013-04-03

[10]

包括贯通孔结构的半导体器件 [P].

黄善宽 ;

金泰成 ;

罗勋奏 ;

文光辰 ;

全炯俊 .

中国专利 :CN115132698A ,2022-09-30

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