半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510005567.2

申请日：

2015-01-06

公开(公告)号：

CN105826179B

公开(公告)日：

2016-08-03

发明(设计)人：

邓武锋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101676766295 IPC(主分类):H01L 21/283 专利申请号:2015100055672 申请日:20150106
2016-08-03	公开	公开
2018-11-16	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

郭磊 ;

孙芳 ;

杨宇新 ;

崔虎山 ;

彭泰彦 ;

胡冬冬 ;

许开东 .

中国专利 :CN120221405A ,2025-06-27

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

郭磊 ;

杨宇新 ;

崔虎山 ;

彭泰彦 ;

胡冬冬 ;

许开东 .

中国专利 :CN120237003A ,2025-07-01

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

周鲁豪 ;

吴永玉 ;

陶然 ;

王江红 ;

武青芳 .

中国专利 :CN118280922B ,2025-04-29

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

龙思阳 ;

朱红波 ;

胡良斌 ;

唐斌 .

中国专利 :CN115020335A ,2022-09-06

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

周鲁豪 ;

吴永玉 ;

陶然 ;

王江红 ;

武青芳 .

中国专利 :CN118280922A ,2024-07-02

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

郑二虎 .

中国专利 :CN114628488A ,2022-06-14

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

胡连峰 .

中国专利 :CN112018241A ,2020-12-01

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

胡连峰 .

中国专利 :CN112018241B ,2024-12-06

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

潘世荣 ;

林纪光 .

中国专利 :CN119133082A ,2024-12-13

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105762107A ,2016-07-13

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