制备碳纳米结构体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580018793.9

申请日：

2005-05-19

公开(公告)号：

CN1964918B

公开(公告)日：

2007-05-16

发明(设计)人：

日方威

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C01B3102

IPC分类号：

B01J23745

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

封新琴;张平元

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-12-29	授权	授权
2007-05-16	公开	公开
2018-06-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 31/02 申请日:20050519 授权公告日:20101229 终止日期:20170519

共 50 条

[1]

制备碳纳米结构体的方法 [P].

日方威 .

中国专利 :CN1946635B ,2007-04-11

[2]

碳纳米结构体的制备方法，由该方法制备的碳纳米结构体及包含该碳纳米结构体的复合材料 [P].

尹光宇 ;

金沃信 ;

朴贤优 ;

吴有镇 ;

金昱营 ;

孙承用 ;

曹东铉 .

中国专利 :CN107108221A ,2017-08-29

[3]

碳纳米结构体的高效率合成方法、装置及碳纳米结构体 [P].

末金皇 ;

野坂俊纪 ;

中山喜万 ;

潘路军 ;

长坂岳志 ;

坂井彻 ;

土屋宏之 ;

后藤俊树 ;

李旭 .

中国专利 :CN1764598A ,2006-04-26

[4]

碳纳米结构体、以及用于制造碳纳米结构体的方法及装置 [P].

日方威 ;

大久保总一郎 ;

宇都宫里佐 ;

东勇吾 ;

藤田淳一 ;

村上胜久 .

中国专利 :CN105073635A ,2015-11-18

[5]

用于制造碳纳米结构体的方法和装置、以及碳纳米结构体组件 [P].

日方威 ;

大久保总一郎 ;

宇都宫里佐 ;

东勇吾 .

中国专利 :CN103387218B ,2013-11-13

[6]

碳纳米结构体聚集物的制造方法及碳纳米结构体聚集物 [P].

涉谷明庆 .

中国专利 :CN108883939A ,2018-11-23

[7]

碳纳米结构体制造方法、碳纳米结构体以及碳纳米结构体制造装置 [P].

日方威 ;

大久保总一郎 ;

中井龙资 ;

藤田淳一 .

中国专利 :CN111587220A ,2020-08-25

[8]

碳纳米结构体、电容器、加工碳纳米结构体的方法、以及制造碳纳米结构体的方法 [P].

藤田淳一 ;

日方威 ;

大久保总一郎 ;

宇都宫里佐 ;

松叶晃明 .

中国专利 :CN103415903A ,2013-11-27

[9]

制造碳纳米结构体的方法和制造碳纳米结构体的装置 [P].

日方威 ;

大久保总一郎 ;

中井龙资 ;

谷冈大辅 .

中国专利 :CN109328177A ,2019-02-12

[10]

制造碳纳米结构体的方法和制造碳纳米结构体的装置 [P].

日方威 ;

大久保总一郎 ;

中井龙资 ;

谷冈大辅 .

中国专利 :CN108349729A ,2018-07-31

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