等离子体辅助有机薄膜沉积装置

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专利类型
发明
申请号
CN200710302363.0
申请日
2007-12-25
公开(公告)号
CN101469415B
公开(公告)日
2009-07-01
发明(设计)人
黄国兴 林东颖 张均豪 王家宏 王登彦
申请人
申请人地址
中国台湾新竹县
IPC主分类号
C23C16513
IPC分类号
C23C1652
代理机构
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人
梁挥;祁建国
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
等离子体辅助薄膜沉积方法 [P]. 
杜陈忠 ;
黄振荣 ;
梁沐旺 ;
张志振 ;
李升亮 ;
吴庆辉 ;
罗展兴 .
中国专利 :CN101413115B ,2009-04-22
[2]
等离子体薄膜沉积装置 [P]. 
叶继春 ;
邬苏东 ;
高平奇 ;
杨映虎 ;
韩灿 .
中国专利 :CN203999809U ,2014-12-10
[3]
微波等离子体薄膜沉积装置 [P]. 
王群 ;
卫博 ;
唐章宏 ;
王明连 ;
金鑫 ;
李永卿 .
中国专利 :CN212270234U ,2021-01-01
[4]
等离子体薄膜沉积装置及沉积方法 [P]. 
叶继春 ;
邬苏东 ;
高平奇 ;
杨映虎 ;
韩灿 .
中国专利 :CN104152869A ,2014-11-19
[5]
等离子体沉积方法和等离子体沉积设备 [P]. 
山本薰 ;
金昌炫 ;
宋伣在 ;
申建旭 ;
申铉振 ;
安星柱 ;
李章熙 ;
李昌锡 ;
全基荣 ;
郑根吾 .
中国专利 :CN110880447A ,2020-03-13
[6]
等离子体沉积方法和等离子体沉积设备 [P]. 
山本薰 ;
金昌炫 ;
宋伣在 ;
申建旭 ;
申铉振 ;
安星柱 ;
李章熙 ;
李昌锡 ;
全基荣 ;
郑根吾 .
韩国专利 :CN110880447B ,2024-04-09
[7]
等离子体辅助式化学气相沉积装置 [P]. 
杨国玺 ;
游正义 ;
李晓菁 ;
陈宣任 .
中国专利 :CN102747340A ,2012-10-24
[8]
等离子体辅助式化学气相沉积装置 [P]. 
游正义 ;
杨国玺 ;
李晓菁 ;
陈宣任 .
中国专利 :CN102747339A ,2012-10-24
[9]
等离子体增强薄膜沉积方法及装置 [P]. 
陈杰良 .
中国专利 :CN1800441B ,2006-07-12
[10]
使用微波等离子体的薄膜沉积 [P]. 
元泰景 ;
H·诺米南达 ;
S-M·赵 ;
崔寿永 ;
朴范洙 ;
J·M·怀特 ;
S·安瓦尔 ;
J·库德拉 .
中国专利 :CN103270578A ,2013-08-28