等离子体沉积方法和等离子体沉积设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910552879.3

申请日：

2019-06-25

公开(公告)号：

CN110880447B

公开(公告)日：

2024-04-09

发明(设计)人：

山本薰金昌炫宋伣在申建旭申铉振安星柱李章熙李昌锡全基荣郑根吾

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/67 H01J37/32 C23C16/458 C23C16/513

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

尹淑梅;刘灿强

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-09	授权	授权

共 50 条

[1]

等离子体沉积方法和等离子体沉积设备 [P].

山本薰 ;

金昌炫 ;

宋伣在 ;

申建旭 ;

申铉振 ;

安星柱 ;

李章熙 ;

李昌锡 ;

全基荣 ;

郑根吾 .

中国专利 :CN110880447A ,2020-03-13

[2]

等离子体装置和等离子体沉积设备 [P].

李翔 ;

种展鹏 ;

袁红霞 ;

王娟 ;

姚俊 .

中国专利 :CN119943637B ,2025-11-04

[3]

等离子体装置和等离子体沉积设备 [P].

李翔 ;

种展鹏 ;

袁红霞 ;

王娟 ;

姚俊 .

中国专利 :CN119943637A ,2025-05-06

[4]

等离子体沉积 [P].

盖·詹姆斯·雷诺兹 ;

康纳·尼古拉斯·马丁 ;

彼得·格洛瓦茨基 ;

玛丽-皮埃尔·弗朗索瓦兹·温特伯特埃普富凯 ;

萨蒂亚纳拉扬·巴利克 ;

帕特里克·坡-曾·陈 .

中国专利 :CN102395704B ,2012-03-28

[5]

等离子体沉积设备 [P].

斯蒂芬·理查德·库尔森 ;

查尔斯·埃德蒙·金 .

中国专利 :CN101743071A ,2010-06-16

[6]

等离子体沉积方法 [P].

沙林达·维克拉姆·辛格 ;

理查德·安东尼·莱昂纳 .

中国专利 :CN109072425A ,2018-12-21

[7]

等离子体沉积装置 [P].

孟杰 ;

胡广严 ;

吴孝哲 ;

吴龙江 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN208949405U ,2019-06-07

[8]

等离子体沉积装置 [P].

董海青 ;

申鹏 .

中国专利 :CN211497785U ,2020-09-15

[9]

等离子体沉积装置 [P].

许明洙 ;

高锡珍 ;

高东均 ;

金民洙 ;

金圣哲 ;

卢喆来 ;

李秉春 .

中国专利 :CN107083542A ,2017-08-22

[10]

等离子体产生设备、沉积设备和沉积方法 [P].

中河原均 ;

佐佐木雅夫 ;

森胁崇行 ;

斋藤友康 .

中国专利 :CN101560643A ,2009-10-21

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