等离子体产生设备、沉积设备和沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910134888.7

申请日：

2009-04-15

公开(公告)号：

CN101560643A

公开(公告)日：

2009-10-21

发明(设计)人：

中河原均佐佐木雅夫森胁崇行斋藤友康

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1408 H05H146

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

张涛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-11-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101467149121 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2009101348887 申请公布日:20091021
2009-10-21	公开	公开

共 50 条

[1]

等离子体沉积方法和等离子体沉积设备 [P].

山本薰 ;

金昌炫 ;

宋伣在 ;

申建旭 ;

申铉振 ;

安星柱 ;

李章熙 ;

李昌锡 ;

全基荣 ;

郑根吾 .

韩国专利 :CN110880447B ,2024-04-09

[2]

等离子体沉积方法和等离子体沉积设备 [P].

山本薰 ;

金昌炫 ;

宋伣在 ;

申建旭 ;

申铉振 ;

安星柱 ;

李章熙 ;

李昌锡 ;

全基荣 ;

郑根吾 .

中国专利 :CN110880447A ,2020-03-13

[3]

等离子体沉积设备 [P].

斯蒂芬·理查德·库尔森 ;

查尔斯·埃德蒙·金 .

中国专利 :CN101743071A ,2010-06-16

[4]

等离子体装置和等离子体沉积设备 [P].

李翔 ;

种展鹏 ;

袁红霞 ;

王娟 ;

姚俊 .

中国专利 :CN119943637B ,2025-11-04

[5]

等离子体装置和等离子体沉积设备 [P].

李翔 ;

种展鹏 ;

袁红霞 ;

王娟 ;

姚俊 .

中国专利 :CN119943637A ,2025-05-06

[6]

等离子体源增强沉积设备 [P].

李国卿 ;

关秉羽 ;

李剑锋 ;

牟宗信 .

中国专利 :CN2632095Y ,2004-08-11

[7]

等离子体处理设备和等离子体产生方法 [P].

石井信雄 ;

八坂保能 ;

高桥应明 ;

安藤真 .

中国专利 :CN100440448C ,2005-08-10

[8]

等离子体沉积 [P].

盖·詹姆斯·雷诺兹 ;

康纳·尼古拉斯·马丁 ;

彼得·格洛瓦茨基 ;

玛丽-皮埃尔·弗朗索瓦兹·温特伯特埃普富凯 ;

萨蒂亚纳拉扬·巴利克 ;

帕特里克·坡-曾·陈 .

中国专利 :CN102395704B ,2012-03-28

[9]

等离子体增强原子层沉积设备 [P].

王东君 .

中国专利 :CN203174200U ,2013-09-04

[10]

等离子体沉积方法 [P].

沙林达·维克拉姆·辛格 ;

理查德·安东尼·莱昂纳 .

中国专利 :CN109072425A ,2018-12-21

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