等离子体薄膜沉积装置及沉积方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410419057.5
申请日
2014-08-22
公开(公告)号
CN104152869A
公开(公告)日
2014-11-19
发明(设计)人
叶继春 邬苏东 高平奇 杨映虎 韩灿
申请人
申请人地址
315201 浙江省宁波市镇海庄市大道519号
IPC主分类号
C23C1644
IPC分类号
C23C1652
代理机构
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
李芙蓉
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
等离子体薄膜沉积装置 [P]. 
叶继春 ;
邬苏东 ;
高平奇 ;
杨映虎 ;
韩灿 .
中国专利 :CN203999809U ,2014-12-10
[2]
等离子体沉积装置 [P]. 
董海青 ;
申鹏 .
中国专利 :CN211497785U ,2020-09-15
[3]
等离子体增强薄膜沉积方法及装置 [P]. 
陈杰良 .
中国专利 :CN1800441B ,2006-07-12
[4]
等离子体辅助薄膜沉积方法 [P]. 
杜陈忠 ;
黄振荣 ;
梁沐旺 ;
张志振 ;
李升亮 ;
吴庆辉 ;
罗展兴 .
中国专利 :CN101413115B ,2009-04-22
[5]
微波等离子体薄膜沉积装置 [P]. 
王群 ;
卫博 ;
唐章宏 ;
王明连 ;
金鑫 ;
李永卿 .
中国专利 :CN212270234U ,2021-01-01
[6]
等离子体沉积装置 [P]. 
孟杰 ;
胡广严 ;
吴孝哲 ;
吴龙江 ;
林宗贤 .
中国专利 :CN208949405U ,2019-06-07
[7]
等离子体辅助有机薄膜沉积装置 [P]. 
黄国兴 ;
林东颖 ;
张均豪 ;
王家宏 ;
王登彦 .
中国专利 :CN101469415B ,2009-07-01
[8]
等离子体沉积方法和等离子体沉积设备 [P]. 
山本薰 ;
金昌炫 ;
宋伣在 ;
申建旭 ;
申铉振 ;
安星柱 ;
李章熙 ;
李昌锡 ;
全基荣 ;
郑根吾 .
韩国专利 :CN110880447B ,2024-04-09
[9]
等离子体沉积方法和等离子体沉积设备 [P]. 
山本薰 ;
金昌炫 ;
宋伣在 ;
申建旭 ;
申铉振 ;
安星柱 ;
李章熙 ;
李昌锡 ;
全基荣 ;
郑根吾 .
中国专利 :CN110880447A ,2020-03-13
[10]
等离子体沉积 [P]. 
盖·詹姆斯·雷诺兹 ;
康纳·尼古拉斯·马丁 ;
彼得·格洛瓦茨基 ;
玛丽-皮埃尔·弗朗索瓦兹·温特伯特埃普富凯 ;
萨蒂亚纳拉扬·巴利克 ;
帕特里克·坡-曾·陈 .
中国专利 :CN102395704B ,2012-03-28