立式等离子体处理装置和半导体处理方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200710095828.X
申请日
2007-04-05
公开(公告)号
CN101051606A
公开(公告)日
2007-10-10
发明(设计)人
高桥俊树 福岛讲平 织户康一 佐藤润
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2100
IPC分类号
H01L2131 H01L21318 H01L21205 H01L21285 H01L213205 H01L21768 C23C1600 C23C16455 C23C1634
代理机构
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人
龙淳
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体处理用的立式等离子体处理装置 [P]. 
松浦广行 ;
高桥俊树 ;
佐藤润 ;
相川胜芳 ;
石井胜利 .
中国专利 :CN101042992B ,2007-09-26
[2]
等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P]. 
东条利洋 ;
藤井祐希 .
中国专利 :CN107275179A ,2017-10-20
[3]
等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P]. 
堀口贵弘 ;
冈信介 .
中国专利 :CN100536634C ,2006-11-15
[4]
等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P]. 
金子和史 .
中国专利 :CN114302547A ,2022-04-08
[5]
等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P]. 
塚原利也 ;
山边周平 ;
谷地晃汰 ;
佐藤徹治 ;
内田阳平 ;
铃木步太 ;
田村洋典 ;
花冈秀敏 ;
佐佐木淳一 .
日本专利 :CN111261511B ,2024-06-18
[6]
等离子体处理方法和等离子体处理装置 [P]. 
江藤隆纪 ;
泽田石真之 .
中国专利 :CN109390229A ,2019-02-26
[7]
等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P]. 
塚原利也 ;
山边周平 ;
谷地晃汰 ;
佐藤徹治 ;
内田阳平 ;
铃木步太 ;
田村洋典 ;
花冈秀敏 ;
佐佐木淳一 .
中国专利 :CN111261511A ,2020-06-09
[8]
等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P]. 
进藤崇央 ;
冈本清一 ;
大友洋 ;
菊地贵伦 ;
松土龙夫 ;
森田靖 ;
佐久间隆 .
中国专利 :CN113936985A ,2022-01-14
[9]
等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P]. 
进藤崇央 ;
冈本清一 ;
大友洋 ;
菊地贵伦 ;
松土龙夫 ;
森田靖 ;
佐久间隆 .
日本专利 :CN113936985B ,2025-03-11
[10]
等离子体处理方法和等离子体处理装置 [P]. 
西野雅 ;
舟久保隆男 ;
狐塚慎一 ;
新妻良祐 ;
伊藤务 .
中国专利 :CN104576453A ,2015-04-29