通孔形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910049284.2

申请日：

2009-04-14

公开(公告)号：

CN101866877A

公开(公告)日：

2010-10-20

发明(设计)人：

赵林林沈满华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21311 H01L213105

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-10-20	公开	公开
2010-12-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101020715532 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2009100492842 申请日:20090414
2012-06-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101389527044 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2009100492842 公开日:20101020

共 50 条

[1]

通孔形成方法 [P].

王伟军 .

中国专利 :CN102592986B ,2012-07-18

[2]

硅通孔形成方法 [P].

严利均 ;

倪图强 .

中国专利 :CN103646917A ,2014-03-19

[3]

通孔的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

王新鹏 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN102270600A ,2011-12-07

[4]

硅通孔的形成方法 [P].

蒋莉 .

中国专利 :CN103094187A ,2013-05-08

[5]

硅通孔的形成方法 [P].

戚德奎 ;

张海芳 ;

陈晓军 ;

陈政 ;

李新 .

中国专利 :CN104282619B ,2015-01-14

[6]

硅通孔的形成方法 [P].

蒋莉 .

中国专利 :CN103094189A ,2013-05-08

[7]

硅通孔的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN102760691B ,2012-10-31

[8]

一种通孔或接触孔的形成方法 [P].

王兆祥 ;

杜若昕 ;

刘志强 ;

倪图强 .

中国专利 :CN103021934A ,2013-04-03

[9]

硅通孔封装结构的形成方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN103633013A ,2014-03-12

[10]

通孔形成方法、喷墨头和硅衬底 [P].

佐佐木圭一 ;

早川幸宏 .

中国专利 :CN101386228A ,2009-03-18

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