半导体器件、半导体模块和用于冷却半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810110071.1

申请日：

2008-05-30

公开(公告)号：

CN101345223B

公开(公告)日：

2009-01-14

发明(设计)人：

T·G·沃德 E·P·扬科斯基

申请人：

申请人地址：

美国密执安州

IPC主分类号：

H01L23367

IPC分类号：

H01L23473 H01L2500 H01L2518

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

曾祥夌;刘华联

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-03	授权	授权
2022-05-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/367 申请日:20080530 授权公告日:20101103 终止日期:20210530
2009-01-14	公开	公开
2009-03-04	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体模块以及制造半导体器件和半导体模块的方法 [P].

G.比尔 ;

J.赫格尔 ;

T.施托尔策 .

中国专利 :CN104064529B ,2014-09-24

[2]

半导体器件、制造半导体器件的方法、以及半导体模块 [P].

柳川洋 ;

中柴康隆 ;

森和久 ;

长谷川浩一 .

日本专利 :CN118352236A ,2024-07-16

[3]

半导体器件和半导体模块 [P].

坂本则明 ;

小林义幸 ;

阪本纯次 ;

冈田幸夫 ;

五十岚优助 ;

前原荣寿 ;

高桥幸嗣 .

中国专利 :CN1203543C ,2002-05-08

[4]

半导体器件、半导体模块和制造方法 [P].

J·舒德勒 ;

G·塞尔瓦托 ;

F·莫恩 ;

柳春雷 .

:CN118591871A ,2024-09-03

[5]

半导体器件和半导体器件模块 [P].

坂田浩司 ;

田中智典 .

中国专利 :CN1638224A ,2005-07-13

[6]

半导体膜、半导体器件和用于制造半导体膜、半导体器件的方法 [P].

高山彻 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN100397556C ,2003-01-08

[7]

半导体器件、功率半导体模块、车辆和制备半导体器件的方法 [P].

王世谈 ;

黄宝伟 .

中国专利 :CN117954481A ,2024-04-30

[8]

半导体器件、半导体器件模块及半导体器件模块制造方法 [P].

青木大 .

中国专利 :CN101587885B ,2009-11-25

[9]

半导体器件、半导体模块和制造方法 [P].

J·舒德勒 ;

G·塞尔瓦托 ;

F·莫恩 ;

柳春雷 .

:CN118591871B ,2025-11-18

[10]

半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法 [P].

野本隆司 ;

米田义之 ;

中村公一 .

中国专利 :CN103390612B ,2013-11-13

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