用于二次电池的硅基负极材料及其制备方法，二次电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980003453.0

申请日：

2019-12-30

公开(公告)号：

CN111164803B

公开(公告)日：

2020-05-15

发明(设计)人：

吴玉虎马飞刘冬冬魏良勤吴志红丁晓阳李凤凤

申请人：

申请人地址：

201209 上海市浦东新区金海路3158号

IPC主分类号：

H01M436

IPC分类号：

H01M438 H01M448 H01M458 H01M462 H01M100525

代理机构：

北京市一法律师事务所 11654

代理人：

刘荣娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/36 申请日:20191230
2020-05-15	公开	公开
2021-09-17	授权	授权

共 50 条

[1]

用于二次电池的硅基负极材料及其制备方法、电极、二次电池 [P].

查道松 ;

李喆 ;

罗姝 ;

张和宝 ;

王岑 ;

连芸芸 ;

陆玉婷 ;

赵双宇 .

中国专利 :CN117542995A ,2024-02-09

[2]

硅基负极材料及其制备方法、负极片、二次电池 [P].

毛贵水 .

中国专利 :CN113363437A ,2021-09-07

[3]

硅基负极材料及其制备方法、二次电池 [P].

廖华平 ;

余刚 .

中国专利 :CN115513418A ,2022-12-23

[4]

硅基负极材料及其制备方法、及二次电池 [P].

李宁 ;

傅儒生 ;

余德馨 ;

仰韻霖 .

中国专利 :CN116565170B ,2024-06-07

[5]

锂二次电池用负极材料及其制造方法、锂二次电池用负极和锂二次电池 [P].

山本辉明 ;

佐藤俊忠 ;

美藤靖彦 .

中国专利 :CN100536201C ,2007-04-04

[6]

硅基负极材料及其制备方法、负极片、二次电池 [P].

陈功锋 .

中国专利 :CN113410442A ,2021-09-17

[7]

复合硅基负极材料及其制备方法、二次电池 [P].

李光胤 .

中国专利 :CN119517972B ,2025-05-16

[8]

复合硅基负极材料及其制备方法、二次电池 [P].

李光胤 .

中国专利 :CN119517972A ,2025-02-25

[9]

二次电池负极活性材料、二次电池负极材料、二次电池负极、二次电池及其活化方法 [P].

胡涵 ;

晁会霞 ;

覃海权 ;

程靖康 ;

张云龙 .

中国专利 :CN110767895A ,2020-02-07

[10]

二次电池用负极材料、负极及二次电池 [P].

游萃蓉 ;

蓝凯威 ;

何俊德 ;

郭家彤 ;

冀天齐 ;

李羿廷 ;

蔡昀真 .

中国专利 :CN114824248A ,2022-07-29

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