用于二次电池的硅基负极材料及其制备方法、电极、二次电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311830072.4

申请日：

2023-12-27

公开(公告)号：

CN117542995A

公开(公告)日：

2024-02-09

发明(设计)人：

查道松李喆罗姝张和宝王岑连芸芸陆玉婷赵双宇

申请人：

博赛利斯（南京）有限公司博赛利斯（合肥）有限公司

申请人地址：

210006 江苏省南京市雨花台区凤展路30号3幢1层101、102、103、104室

IPC主分类号：

H01M4/36

IPC分类号：

H01M4/38 H01M4/583 H01M4/1395 H01M4/134 H01M10/0525

代理机构：

北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446

代理人：

何春晖;谢清萍

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-09	公开	公开
2024-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/36申请日:20231227

共 50 条

[1]

用于二次电池的硅基负极材料及其制备方法，二次电池 [P].

吴玉虎 ;

马飞 ;

刘冬冬 ;

魏良勤 ;

吴志红 ;

丁晓阳 ;

李凤凤 .

中国专利 :CN111164803B ,2020-05-15

[2]

一种硅基负极材料及其制备方法、电极、二次电池 [P].

查道松 ;

李喆 ;

罗姝 ;

张和宝 ;

王岑 ;

赵双宇 .

中国专利 :CN114759162A ,2022-07-15

[3]

硅基负极材料及其制备方法、二次电池 [P].

廖华平 ;

余刚 .

中国专利 :CN115513418A ,2022-12-23

[4]

硅基负极材料及其制备方法、负极片、二次电池 [P].

毛贵水 .

中国专利 :CN113363437A ,2021-09-07

[5]

硅基负极材料及其制备方法、负极片、二次电池 [P].

陈功锋 .

中国专利 :CN113410442A ,2021-09-17

[6]

复合硅基负极材料及其制备方法、二次电池 [P].

李光胤 .

中国专利 :CN119517972B ,2025-05-16

[7]

硅基负极材料及其制备方法、及二次电池 [P].

李宁 ;

傅儒生 ;

余德馨 ;

仰韻霖 .

中国专利 :CN116565170B ,2024-06-07

[8]

复合硅基负极材料及其制备方法、二次电池 [P].

李光胤 .

中国专利 :CN119517972A ,2025-02-25

[9]

一种负极材料及其制备方法、电极、二次电池 [P].

查道松 ;

王岑 ;

罗姝 ;

张和宝 ;

李喆 ;

骆亦琦 .

中国专利 :CN112467097A ,2021-03-09

[10]

一种负极材料及其制备方法、电极、二次电池 [P].

查道松 ;

李喆 ;

罗姝 ;

张和宝 ;

王岑 .

中国专利 :CN112467096B ,2021-03-09

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