一种超薄氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途

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专利类型
发明
申请号
CN201410811923.5
申请日
2014-12-23
公开(公告)号
CN104498895B
公开(公告)日
2015-04-08
发明(设计)人
宋志伟 褚卫国
申请人
申请人地址
100190 北京市海淀区中关村北一条11号
IPC主分类号
C23C1630
IPC分类号
C23C16513
代理机构
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
巩克栋;侯桂丽
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途 [P]. 
宋志伟 ;
褚卫国 .
中国专利 :CN104532207A ,2015-04-22
[2]
一种超薄氧化硅膜材料及其制备方法 [P]. 
宋志伟 ;
褚卫国 .
中国专利 :CN104120404A ,2014-10-29
[3]
一种氧化硅膜材料及其制备方法 [P]. 
宋志伟 ;
褚卫国 .
中国专利 :CN104099581A ,2014-10-15
[4]
一种超薄氮化硅膜材料及其制备方法 [P]. 
宋志伟 ;
褚卫国 .
中国专利 :CN104099579A ,2014-10-15
[5]
一种氮化硅膜材料及其制备方法 [P]. 
宋志伟 ;
褚卫国 .
中国专利 :CN104120403A ,2014-10-29
[6]
氮氧化硅色谱固定相材料及其制备和应用 [P]. 
梁鑫淼 ;
万慧慧 ;
薛兴亚 .
中国专利 :CN102451667B ,2012-05-16
[7]
超薄氮氧化硅界面材料、遂穿氧化钝化结构及其制备方法和应用 [P]. 
叶继春 ;
曾俞衡 ;
邢海洋 ;
马典 ;
刘伟 ;
闫宝杰 ;
廖明墩 .
中国专利 :CN114843350A ,2022-08-02
[8]
超薄氮氧化硅界面材料、隧穿氧化钝化结构及其制备方法和应用 [P]. 
叶继春 ;
曾俞衡 ;
邢海洋 ;
马典 ;
刘伟 ;
闫宝杰 ;
廖明墩 .
中国专利 :CN114843350B ,2024-12-20
[9]
形成氮氧化硅膜的方法和具有由此形成的氮氧化硅膜的衬底 [P]. 
N·申德 ;
长原达郎 ;
高野祐辅 .
中国专利 :CN103702933A ,2014-04-02
[10]
一种氧化亚硅/氮氧化硅复合材料及其制备和应用 [P]. 
张亚光 ;
周向阳 ;
杨娟 ;
唐晶晶 .
中国专利 :CN115832230B ,2025-06-20