半导体器件生产方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98125646.5

申请日：

1998-12-23

公开(公告)号：

CN1109357C

公开(公告)日：

1999-06-30

发明(设计)人：

齐藤和美

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L21027 H01L21768 H01L2100

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

刘晓峰

法律状态：

专利申请权、专利权的转移专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-10-22	专利申请权、专利权的转移专利权的转移	专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更事项:专利权人变更前权利人:日本电气株式会社变更后权利人:恩益禧电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本国东京都变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20030905
2015-02-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101599304110 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利号:ZL981256465 申请日:19981223 授权公告日:20030521 终止日期:20131223
1999-06-30	公开	公开
2003-05-21	授权	授权
1999-05-19	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2010-10-13	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101008984520 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利号:ZL981256465 变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本神奈川县

共 50 条

[1]

半导体器件的生产方法 [P].

小川博 .

中国专利 :CN1226081A ,1999-08-18

[2]

半导体器件的生产方法 [P].

山口弘 .

中国专利 :CN1211816A ,1999-03-24

[3]

半导体器件制造方法 [P].

儿玉修一 .

中国专利 :CN1232287A ,1999-10-20

[4]

半导体器件及其生产方法 [P].

真篠直宽 ;

東光敏 .

中国专利 :CN100364092C ,2003-01-22

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

彦坂幸信 ;

伊藤昭男 ;

高井一章 ;

齐藤丈靖 .

中国专利 :CN1240133C ,2003-07-23

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

中川聪 ;

伊东丰二 ;

尾藤阳二 ;

长野能久 .

中国专利 :CN1163474A ,1997-10-29

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

矶部敦生 ;

村上智史 ;

高野圭惠 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1870233A ,2006-11-29

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

酒井久弥 ;

清水纪嘉 ;

大塚信幸 .

中国专利 :CN100334709C ,2005-06-29

[9]

半导体器件的制造方法 [P].

小槻一贵 .

中国专利 :CN1209653A ,1999-03-03

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

松木武雄 .

中国专利 :CN1209657A ,1999-03-03

← 1 2 3 4 5 →