改善等离子体蚀刻均匀性的方法和设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580032034.8

申请日：

2005-09-21

公开(公告)号：

CN101048842A

公开(公告)日：

2007-10-03

发明(设计)人：

鲁塞尔·韦斯特曼大卫·约翰逊

申请人：

申请人地址：

美国佛罗里达州

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

孙志湧;陆锦华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-03	公开	公开
2008-05-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

舆石公 ;

小林典之 ;

米田滋 ;

花轮健一 ;

田原慈 ;

杉本胜 .

中国专利 :CN101523569A ,2009-09-02

[2]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

坂尾洋介 ;

上打田内健介 ;

清水昭贵 .

中国专利 :CN101504915A ,2009-08-12

[3]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

北村彰规 ;

安田健太 ;

石田俊介 .

中国专利 :CN104067375B ,2014-09-24

[4]

使用磁性元件的蚀刻和等离子体均匀性控制 [P].

斯科特·布里格斯 ;

普拉蒂克·曼克迪 ;

约翰·P·霍兰德 ;

安德鲁·D·贝利三世 .

中国专利 :CN115039198A ,2022-09-09

[5]

具有交替的非等离子体和等离子体蚀刻工艺的蚀刻方法 [P].

郭翔宇 ;

南森·斯塔福德 .

法国专利 :CN120113038A ,2025-06-06

[6]

等离子体蚀刻室和等离子体蚀刻的方法 [P].

F.巴隆 ;

M.埃加扎里 ;

B.库缇斯 .

中国专利 :CN109196619B ,2019-01-11

[7]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

穆罕默德·菲依鲁斯·宾布迪曼 ;

辻本宏 .

中国专利 :CN111801776A ,2020-10-20

[8]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

八田浩一 ;

前川薫 ;

佐藤渚 ;

大野久美子 ;

田原慈 ;

雅各·法盖 ;

雷米·杜萨特 ;

托马斯·蒂洛彻 ;

菲利普·勒福舍 ;

盖尔·安托万 .

中国专利 :CN111527591A ,2020-08-11

[9]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

北垣内圭二 ;

小林史弥 ;

户村幕树 .

中国专利 :CN110729187A ,2020-01-24

[10]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

后平拓 ;

箕浦佑也 .

中国专利 :CN110164764A ,2019-08-23

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