等离子体氮化处理方法和等离子体氮化处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180007086.5

申请日：

2011-03-30

公开(公告)号：

CN102725834B

公开(公告)日：

2012-10-10

发明(设计)人：

高槻浩一山崎和良野口秀幸田村大辅齐藤智博

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21318

IPC分类号：

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-10	公开	公开
2015-04-01	授权	授权
2012-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101359120529 IPC(主分类):H01L 21/318 专利申请号:2011800070865 申请日:20110330

共 50 条

[1]

等离子体氮化处理方法 [P].

出张俊宪 ;

佐野正树 .

中国专利 :CN102725835A ,2012-10-10

[2]

等离子体氮化处理方法 [P].

大崎良规 ;

黑田豪 .

中国专利 :CN102737977A ,2012-10-17

[3]

等离子体氮化处理方法 [P].

北川淳一 ;

小林岳志 .

中国专利 :CN101908484A ,2010-12-08

[4]

选择性等离子体氮化处理方法和等离子体氮化处理装置 [P].

门田太一 ;

中村秀雄 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN102414803A ,2012-04-11

[5]

等离子体氮化处理方法 [P].

松山征嗣 ;

中西敏雄 ;

尾崎成则 ;

足立光 ;

高槻浩一 ;

佐藤吉宏 .

中国专利 :CN102181819A ,2011-09-14

[6]

等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法、等离子体处理方法、和等离子体处理装置 [P].

佐野正树 ;

石塚修一 .

中国专利 :CN101681836A ,2010-03-24

[7]

等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置 [P].

盐泽俊彦 ;

壁义郎 ;

小林岳志 ;

足立光 ;

北川淳一 ;

山本伸彦 .

中国专利 :CN101523575B ,2009-09-02

[8]

等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置 [P].

壁义郎 ;

小林岳志 ;

盐泽俊彦 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN101652842B ,2010-02-17

[9]

等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P].

东条利洋 ;

藤井祐希 .

中国专利 :CN107275179A ,2017-10-20

[10]

等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P].

堀口贵弘 ;

冈信介 .

中国专利 :CN100536634C ,2006-11-15

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